湘潭大学主存储器解读.ppt

(2)分散式刷新(Distributed Refresh) 把对每一行的再生分散到各个工作周期中去。即一个存储器系统周期分为两部分：前半部分用于正常读、写或保持，后半部分用于再生某一行。 将系统周期 Ts 分为两半，Ts = Tc+Tr，前半段 Tc 用于读写，后半段 tr 用于刷新。系统周期为 1μs，读写、刷新周期均为 0.5μs。 图4 分散刷新方式示意图 刷新间隔（128μS） 刷新 周期0 R/w … 刷新 周期1 R/w 刷新 周期128 R/w (3)异步刷新 将刷新周期除以行数，得到两次刷新操作之间的时间间隔T，利用逻辑电路每隔时间T产生一次刷新请求。 将2ms 划分为128段，每段约为15.5μs，将每段划分为两部分，前15μs作为读写，后 0.5μs用于刷新。可保证每 15.5μs刷新一行。 图4.15 异步刷新方式示意图 刷新间隔（2ms） 15.5μS R/w … 刷新 0.5μS R/w … 15.5μS R/w … 刷新 0.5μS R/w 动态MOS存储器刷新需要有硬件电路支持，包括刷新计数器、刷新/访存裁决，刷新控制逻辑等。 如Intel8203动态RAM控制器是为了控制2117、2118(16K*1)和2164(64K*1)动态RAM芯片而设计的。下图是Intel8203逻辑框图。 图7.24 INTEL 8203RAM控制器 地