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是德科技 CMOS 图像传感器中的 随机噪声特征分析 利用B1500A 的WGFMU 模组测量RTS 噪声 应用指南 简介 ± 随机电报信号(RTS) 在 1 之间随机变动，并且有数个零点，在任意时间间隔内都能用泊松过 程来描述。随机电报信号噪声 （也称突发或跳跃噪声）具有RTS 特征，主要特点是作用在大 的信号上附加低电平信号。在CMOS 图像传感器 （也称有源像素传感器）中，RTS 噪声会在 本该是黑色的地方产生错误的白点。随着半导体元件的微型化，MOSFET 中随机电报信号噪 声的影响越来越严重。 至今，RTS 噪声测量由一系列用户自定义的元件组成，常见的有：低噪声电源、变压器电流 和示波器 （或电压表）。但是，这些测量元件很难保证稳定和始终如一的测量结果。这主要 是因为元件或整个系统的校准略显不足。另外，由于元件的结构复杂性和单个元件中误差 相累加的总误差，多重元件中的随机噪声都很容易造成RTS 测量错误。因此，为了采集一致 的RTS 噪声数据，我们提供了一个实时的、能确保RTS 噪声处理规格的解决方案。 B1530A 波形发生器/快速测量单元(WGFMU) ，是B1500A 半导体元件分析仪中的一个模 组。它有独立测量RTS 噪声的能力，不需要任何附加测量元件。WGFMU 模组的噪声不 到0.1mV (rms) ，电流测量取样频率在1S/s 至200 MS/s 之间，带宽在DC-16MHz 之间。 B1500A 的WGFMU模组每个通道有4M 的测量存储器，因此它能测量的RTS 噪声频率范围 很大。此外，为了让用户能立即分析RTS 噪声，WGFMU模组还提供了RTS 噪声采样分析软件。 本应用指南将介绍如何使用B1500A 的WGFMU模组来测量RTS 噪声，并给出了一些实际测 量范例。 03 | Keysight | CMOS 图像传感器中的随机噪声特征分析- 应用指南 CMOS 图像传感器中的随机噪声 在当代的CMOS 图像传感器中，RTS 噪声是噪声源中对像素影响 最大的噪声干扰。每个CMOS 图像传感器都有一个读出放大器用 来放大从图像二极管获得的光电流信号 （参见图1）。为了提高 像素密度，我们必须缩小放大器并尽量增大光电二极管的尺寸， 从而提高信噪比。通过这些方法我们能减小MOSFET 的尺寸，从 而让它对RTS 噪声更加敏感。 Vdd RTS 噪声的物理特性 Id MOSFET 中的RTS 噪声可以理解为阈值电压的改变，这有可能是 Amp 随机的，也有可能是因为MOSFET 中绝缘层间接收到的发射电子 PD （见图2）。 由于单个电子被俘获造成的Vth 变化可以用方程式1来描述。 q 图1放大电路中RTS 噪声导致的像素偏差 ∆Vth = ____________ …(1) L •W •Cox 这里q 是电子电荷，L 是栅长，W 是栅宽，Cox 是栅电容。从方 程式可以清楚地看出随着元件收缩Vth 反而变大。由于发射电子 的俘获可能是微秒- 秒级别，一些由RTS 噪声造成的像素缺失可 能会被肉眼观察到。 利用B1500A 的WGFMU模组测量R