材料的电学性能1要点.pptVIP

导体能带结构 ?Eg 价带 导带 价带 导带 价带 导带 导带部分填满 没有禁带 导带价带重叠 导体 在外电场的作用下，大量共有化电子很 易获得能量，集体定向流动形成电流。 从能带图上来看，是因为其共有化电子很易从低 能级跃迁到高能级上去。 E 导体 电子完全占满价带。导带是空的。 满带与空带之间有一个较宽的禁带 热能或外加电场，不足以使共有化 电子从低能级（满带）跃迁到高能 级导带上去。所以不能形成电流。 绝缘体能带结构 ?Eg 价带 导带 绝缘体 半导体 半导体能带结构 ?Eg 价带 导带 T 0K，电子完全占满价带。导带是空的。具有绝缘体的特征。 禁带宽度很窄，当外界条件变化时（如光照、温度变化），价带中的电子跃迁到导带上去，同时在价带中出现等量的空穴，在电场作用下电子和空穴都能参与导电。 2.1.1.4 导体、半导体、绝缘体的转化 紧束缚近似结论：当固体中点阵距离缩小时，能带的宽度会有所增加，禁带相应缩小。 2.1导体、绝缘体和半导体的划分 2.1.1 能带的基本概念 2.1.1.1能态密度的概念 2.1.1.2 金属、半导体和绝缘体的能带 2.1.1.3 导体、半导体、绝缘体的导电性 2.1.2宏观电导率及温度的相关性 2.1.2.1 金属的电导率 2.1.2.2 杂质半导体的电导率 1. 电阻率ρ、电导率σ是评价材料导电性的基本参数 导体 10-7 10-6 10-5 10-4 10-3 10-2 10-1 100 101 102 103 104 105 106 电导率σ S/m 绝缘体 半导体 超导体：σ→∞ 2.1.2宏观电导率及温度的相关性 2.载流子 载流子： 电场作用下，电荷的定向长距离移动形成电流， 带有电荷的自由粒子称为载流子。 自由电子 — 带负电 金属材料的载流子：自由电子 半导体中有两种导电的载流子： 空 穴 — 带正电 无机材料中的载流子：离子（正、负离子）、电子、空穴 3.电导率的一般表达式 导电现象的微观本质：载流子在电场作用下的定向迁移 A和B面 ⊥ E方向 A和B面间距为L 单位体积内载流子数为n 每一载流子的电荷量为q 电导率公式： 金属电导率取决于：n与m 电导率与温度： n与T无关；T ，格点离子震动 ， m n： 自由电子浓度（单位体积内参与导电的电子数） e : 电子电荷 m：电子迁移率 金属的电导率： （1） 金属的电导率 （2）杂质半导体的电导率 杂质半导体的电导率： A：电导率为本征电导与杂质电导之和。 B：低温时，杂质电导占主导，高温时，本征电导占主导。 C：通用表达式 N型半导体电导率随温度的变化 随温度的增加，越来越多的施主杂质电子能进入导带，最后直到所有杂质电子全部进入导带。当达到这一温度时，称为施主耗尽。此时电导率为常数（因为温度太低，无本征电子及空穴的导电）。 通常选择在施主耗尽即平台温度的范围内工作。 图例说明： 知识回顾与总结 能带的基本概念 金属、半导体、绝缘体的能带结构 电导率与温度的关系 金属、半导体、绝缘体的导电性 使用布尔逻辑操作符 对于金属材料来说，载流子的移动速率特别重要。而对于半导体材料来说，载流子的数量更为重要。载流子的移动速率取决于原子之间的结合键、晶体点阵的完整性、微结构以及离子化合物中的扩散速率。 * * * 在电场作用下自由电子将沿电场的反方向运动，从而在金属中产生电流。电子与原子的碰撞妨碍电子的继续加速，形成电阻。价电子是共有化的，不属于某一个原子，可以在整个金属中运动，忽略了电子之间的排斥作用和正离子点阵周期场的作用。 * 按照经典自由电子论，金属中价电子如同气体分子一样，在温度T下每个电子的平均能量为3kT/2。对于一价金属来说，每摩尔电子气的能量 Ee NA 3kT/2 3RT/2，式中NA 为亚佛加德罗常数， NA。 6.023×1023 。一摩尔电子气的热容 Cve d Ee / dT 3R/2 ≈ 3 cal/mol。这一结果比试验测得的电子热容约大100倍。 * * * * * * * * * * —— 费米半径 Fermi wave vector —— 费米动量 Fermi momentum —— 费米速度 Fermi velocity —— 费米能 Fermi energy 基态时 T 0 ，电子在k空间的分布 Fermi球 Fermi面 3.费米-狄拉克分布函数 考察由N个粒子所组成的孤立体系，每一个粒子可以一定几率处于能量为E1 E2 E3, …..的态。在一个特定的时刻，粒子分布在不同的态上，有n1个粒子在能量为E1的态，n2个粒子在能量为E2的态，等等。 由于粒子的相互作用，粒子在不同态上的分布是变化的。但对于系统的每一个宏观态，总有一个比其他任何配分都