现在通信中的发射机技术设计作业要点.doc

现在通信中的发射机技术 设计作业 姓名： 专业： 学号： 一．设计目标： 工作频率：2300-2700MHz，覆盖TD-LTE的38和40两个频段 饱和输出功率Psat：47dBm 功率增益Gain：10dB 漏极效率：60% IMD3：在38和40两个频段的中心频率处，最大输出功率回退6dB，5MHz双音间隔测试IMD330dBc@2350MHz和IMD330dBc@2595MHz 二．管型选择和介质基片的选择 GaN晶体管是新一代射频微波功率管，优点有高功率密度、宽带宽、效率高、热导率高、散热好，有利于在大功率条件下工作。根据设计指标分析，选用Cree公司的GaN HEMT功率管CGH40045。介质基片选用Rogers公司的4350B进行设计，该基片能满足大功率工作时散热性能的要求。该基片材质的具体设计参数及微带线的示意图如下所示。 图1 （a） 微带线介质基板参数设置（b）微带线示意图 三．静态工作点的确定 分析CGH40045的datasheet，可知其电气特性如下所示： 图2 CGH40045的电气特性 由图2可知CGH40045的静态工作点为漏源电压VDS=28V，栅源电压VGS=-2.7V，漏源静态电流ID=400mA。参考datasheet上给出的静态工作点进行直流仿真，进而确定静态工作点。对CGH40045进行直流仿真，仿真电路图如图3所示。 图4 直流仿真 （a） （b） 图5 直流仿真结果（a）栅源电压扫描（b）漏源电压扫描 对CGH40045进行直流仿真之后，结合datasheet给出的相关信息，确定静态工作点为：VDS=28V，VGS=-2.9V，ID=428mA。 四．稳定性分析与偏置电路设计 对射频器件进行稳定性分析是非常重要的，它是防止器件产生自激的有效手段，在稳定性仿真时，我们重点关注器件潜在的低频自激效应。对CGH40045进行大信号S参数仿真，仿真电路图如下所示： 图6 大信号分析仿真电路 图7 大信号条件下的稳定性分析结果 由图7可知稳定因子K在大信号输入条件下小于1，功率管存在潜在不稳定性，因此有必要添加稳定电路，可在功率管的输入段加入RC并联网络。加入RC并联网络后的仿真结果如下所示，其中R=10Ω，C=10pF。由图可知加入RC并联网络后稳定因子K大于1，功率管的潜在不稳定得到消除。 图8 加入RC网络后的大信号条件下稳定性分析结果 五．多谐波负载牵引分析 对CGH40045功率管进行负载牵引仿真，仿真电路图如图9所示。 图9 2500MHz处负载牵引仿真原理图 在2300-2700MHz频段范围内的中心频率点2500MHz处的仿真结果如图所示： 图10 2500MHz处负载牵引仿真结果 由图10可知，在2500MHz处，最佳负载阻抗为6.0+j*1.9Ω，功率附加效率PAE为67.17%，输出功率Pout为45dBm。与源负载牵引进行迭代之后确定其最佳基频负载阻抗和最佳基频源阻抗分别为6.1+j*0.3Ω和6.0-j*3.6Ω。随后对管子进行二次谐波负载牵引，仿真结果如图所示： 图11 二次谐波负载牵引仿真结果 由图11可知，二次谐波负载阻抗对输出功率影响不大，但是对功率附加效率影响较大，在smith原图的左上部分是功率附加效率的较高区域，具有70%以上的效率，最佳二次谐波负载阻抗为j*0.5Ω。然后对二次谐波源负载进行牵引，仿真结果如图所示： 图12 二次谐波源负载牵引仿真结果 由图12可知，二次谐波源负载阻抗对输出功率影响不大，但是对功率附加效率影响稍微较大，仍在整个smith原图范围内具有60%以上的效率，因此从该设计作业的设计指标来说，整个smith原图的二次谐波负载阻抗均能满足设计指标，不需再考察三次谐波源负载阻抗的结果。对CGH40045进行三次谐波负载牵引，仿真结果如图所示： 图13 二次谐波负载牵引仿真结果 由图13可知，三次谐波负载阻抗对输出功率影响不大，同时对功率附加效率的影响也不大，在整个smith原图上具有70%以上的功率附加效率。通过上述的多谐波负载牵引仿真结果可知，该二次谐波负载阻抗对功率附加效率影响较大，因此在设计宽带匹配网络设计时应该使转换得到的二次谐波负载阻抗位于smith原图的左上部分，控制二次谐波阻抗对功率附加效率的影响达到最小。由于要进行宽带匹配网络的设计，因此我们需要对频率点2300MHz和2700MHz进行负载牵引和源负载牵引。得到所有牵引结果如下： 2300MHz 负载阻抗：5.5+j*0.03Ω，源负载阻抗：5.0-j*3.7Ω 2500MHz 负载阻抗：6.1+j*0.3Ω，源负载阻抗：