考虑量子化效应MOSFET阈值电压解析模型.pdfVIP

第 卷 第 期 年 月 物 理 学 报 M $$M ， ， ， U7 0M T 0 -;VW:5W9 $$M （ ） ($$$3#%$I$$MIM $ I$P%)3$M 2Q/2 RSL,JQ2 ,JTJQ2 !$$M Q6@ 0 R9D 0 ,? 0 $$$$$$$$$$$$$$$$$$$$$$$$$$$$$$$$$$$$$$$$$$$$$$$$$$$$$$$$$$$$$$$ 考虑量子化效应的!#$% 阈值电压解析模型! ! 代月花 陈军宁 柯导明 孙家讹 （安徽大学电子科学与技术学院，合肥 #$$#% ） （ 年 月 日收到； 年 月 日收到修改稿） $$ ’ ( $$ ) (% 根据改进后的三角势阱场近似，并考虑量子化效应，提出了一种基于物理的阈值电压解析模型，给出了 *+,-./ 的阈值电压解析表达式，并与经典理论和数值模拟结果进行了比较0 关键词：量子效应，阈值电压，反型层，表面势 ： ， ， ’()) )#$1 )#$2 )#$$ 功函数 !, 随掺杂浓度增大而越来越大，如果栅用 (A 引 言 金属（如 ），其功函数为 ，根据文献［］， 27 !4 # !, C ，在 型半导体硅的表面形成一个负的空间电荷 !4 B 现代超大规模集成电路中器件尺寸越来越 区，其中电场方向由表面指向体内， 现规定 C $ 0 D ［］ ( 小 ，在高的掺杂浓度和强的纵向电场的影响下沟 垂直 界面指向 体内的方向为 轴正向，且 ,63,6+ # % $ 道内的电子输运特性就会发生改变，在平行于 ,63 取,63,6+ 界面处为 % E $ 0 故