光折变晶体论文--外电场作用下光折变晶体的光学特性应用研究.docVIP

光折变晶体论文：外电场作用下光折变晶体的光学特性研究 【中文摘要】外电场对光折变晶体宏观光学特性有着深刻影响,对此人们已经进行了大量的研究,这包括外电场对晶体衍射效率的影响、外电场对光感应光散射的影响以及外电场对光波耦合特性的影响等。本文主要对光折变晶体CSBN (Ca0.28Ba0.72)x(Sr0.60Ba0.40)1-xNb2O6)和Ce:SBN在外电场作用下的部分光学特性进行了理论分析和实验研究,包括：外电场下CSBN晶体的锥光干涉特性研究,外电场对光折变晶体中光束形态的影响和外电场下光折变晶体中准稳态光孤子的平移特性研究等。主要研究内容如下：1.基于单轴晶体锥光干涉的理论分析,结合CSBN线性电光效应,研究了外电场下CSBN晶体的锥光干涉特性,并给出了线性电光系数γ33和γ13的计算公式。在此基础上,设计了一种可用于测量CSBN这类晶体的线性电光系数的实验方法。根据这一方法搭建了实验平台,对CSBN50晶体的线性电光系数γ33和γ13进行了测量,结果是：γ33=(141.0±0.5)×10-12m/V,γ13=(85.0±0.5)×10-12 m/V。2.研究分析了Ce:SBN晶体在外电场作用下的传播光束自聚焦和自散焦过程,在实验中,通过改变晶体上外施加电场的强度和方向,实验观察了外施加电场对晶体内传播光束形态变化的影响,并分析了其形成机制与规律。在光束的自散焦实验中,着