第八章系统扩展2010春.ppt

半导体存储器分类 根据结构使用功能分：半导体存储器（内存）分为随机存取存储器RAM （Random Access Memory）和只读存储器ROM （Read Only Memory）两类。 随机存取存储器RAM又称读写存储器，它的数据读取、存入时间都很短，因此，计算机运行时，既可从RAM中读数据，又可将数据写入RAM。但掉电后RAM中存放的信息将丢失。RAM适宜存放原始数据、中间结果及最后的运算结果，因此又被称作数据存储器。 只读存储器（ROM）读出一个数据的时间是数百纳秒；有时也可写入，但写入一个数据的时间长达数十毫秒，因此在计算机运行时只能执行读操作。掉电后ROM 中存放的数据不会丢失。ROM适宜存放程序、常数、表格等，因此又称为程序存储器。 RAM又分为静态RAM和动态RAM两类 静态RAM用触发器存储信息，只要不断电，信息就不会丢失。 动态RAM依靠电容存储信息，充电后为“1”，放电后为“0”。由于集成电路中电容的容量很小，且存在泄露电流的放电作用，高电平的保持时间只有几毫秒（ms)。为了保存信息，每隔1、2ms必须对高电平的电容重新充电。这称为动态RAM的定时刷新。 动态RAM的集成度高；静态RAM的集成度低、功耗大，优点是省去了刷新电路。 只读存储器有以下四类： 1）掩膜ROM 2）可编程只读存储器PROM（Programmable ROM) 3）可擦除可编程只读存储器EPROM（Erasable PROM) 4)电擦除可编程只读存储器EEPROM（Electrically Erasable PROM) 5)flash存储器 8.2 程序存储器的扩展 8.2.2 扩展程序存储器实例 地址锁存电路74LS373简介 工 作 时 序（PSEN*、ALE) 扩展多片EPROM芯片 例:要求用 2764 芯片扩展 8031 的片外程序存储器空间, 分配的地址范围为 0000H~3FFFH。 本例采用完全译码方法。 （1）确定片数 因0000H ~ 3FFFH的存储空间为16 KB, 则 所需芯片数=实际要求的存储容量/单个芯片的存储容量 = 16 KB/ 8 KB = 2（片） 7.3 片外数据存储器的扩展 片外数据存储器扩展常用芯片 片外数据存储器扩展常用芯片 7.3.2 扩展数据存储器实例 读写工作时序（ALE、RD*、WR*) 扩展多片SRAM和EPROM 8.2 I/O指令与编程方法 由于将I/O口和外部RAM统一编址，因此使用外部RAM的访问指令对I/O口进行数据传送。 MOVX A，@Ri ；输入 MOVX @Ri，A ；输出 MOVX A，@DPTR ；输入 MOVX @DPTR，A ；输出 9.1.3 I/O指令与编程方法 例9-1 设单片机需要将端口地址为7CF7H中的数据0EDH读入累加器A中，编写程序。 MOV P2，#7CH MOV R0，#0F7H MOVX A，@R0 例9-2 设单片机需要将数据F4H输出到端口地址为7E7FH的I/O口，编写程序。 MOV DPTR，#7E7FH MOV A，#0F4H MOVX @DPTR，A ；输出 8.2 I/O口的扩展 8.2.1 I/O口扩展的方法和常用芯片 （1）扩展方法 1）三总线扩展法 2）串行口扩展法 串行口方式0为移位寄存器方式，采用74LS164(串入并出）可扩展并行输出口。使用74LS165(并入串出）可扩展并行输入口。在不使用串行口时，可使用此方法，但是数据传输较慢。 3）通过片内I/O口扩展 扩展芯片的数据线不通过P0口，而是通过其它片内I/O口，要占用有限的片内I/O资源。 常用的I/O口扩展芯片 1）专用I/O扩展芯片 主要是8255（3×8并行口）、8243 （4×4并行口） 2）I/O口综合扩展芯片 主要有8155H/8156H(2×8+6并行I/O口、256×8静态RAM、一个14位定时器/计数器），8755（2×8并行I/O口、2K×8EPROM)。 3）TTL电路芯片 广泛使用的有锁存器及三态缓冲器74LS373、273、374、377、367、244等，串行口扩展主要用移位寄存器74LS164、74LS165 8.2.2 简单的I/O口扩展方法 采用TTL电路或CMOS电路直接传送并行数据的方法，可以实现简单的I/O口的扩展。 74LS244为双4位三态门缓冲器；74LS273是一种8D触发器。 例8-4 实现8-12中的功能，按下任意键对应的LED发光的功能，写出应用程序。 输入和输出都是在P2.0为低电平时有效。其输入和输出口地址都为FEFFH。 LOOP:MOV DPTR,#0FEFFH MOVX A,@DPTR M