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* 7.1.1 外光电效应 在光的作用下，物体内的电子逸出物体表面向外发射的现象叫做外光电效应。 7.1 光电效应 外光电效应、内光电效应和光生伏特效应。 * 1887年，首先是赫兹（M.Hertz）在证明波动理论实验中首次发现的； 1902年，勒纳（Lenard)也对其进行了研究，指出光电效应是金属中的电子吸收了入射光的能量而从表面逸出的现象。但无法根据当时的理论加以解释 ； 1905年，爱因斯坦提出了光子假设。 * 爱因斯坦光电效应方程： 1.光电子能否产生，取决于光子的能量是 否大于该物体的表面电子逸出功A。 2.? 一定时，产生的光电流和光强成正比。 3.逸出的光电子具有动能。 基于外光电效应的光电器件有光电管、光电倍增管。 * 7.1.2 内光电效应 当光照在物体上，使物体的电导率发生变化，也称为光电导效应。 在光线作用下，电子吸收光子能量从键合状态过度到自由状态，而引起材料电导率的变化。 * 自由电子所占能带 不存在电子所占能带 价电子所占能带 禁带 导带 价带 Eg 电子能量E h?≧Eg 当光照射到光电导体上时，若这个光电导体为本征半导体材料，且光辐射能量又足够强,光电材料价带上的电子将被激发到导带上去，使光导体的电导率变大。 * 基于这种效应的光电器件有光敏电阻。 * ①　势垒效应（结光电效应） 光照射PN结时，若h?≧Eg，使价带中的电子跃迁到导带，而产生电子空穴对，在阻挡层内电场的作用下，电子偏向N区外侧，空穴偏向P区外侧，使P区带正电，N区带负电，形成光生电动势。 7.1.3 光生伏特效应 在光作用下能使物体产生一定方向电动势的现象。基于该效应的器件有光电池和光敏二极管、三极管。 P N * ②侧向光电效应 当半导体光电器件受光照不均匀时，光照部分产生电子空穴对，载流子浓度比未受光照部分的大，出现了载流子浓度梯度，引起载流子扩散，如果电子比空穴扩散得快，导致光照部分带正电，未照部分带负电，从而产生电动势，即为侧向光电效应。 * 1967年法国第十三届国际计量大会规定了以 坎德拉、坎德拉/平方米、流明、勒克斯分别作为发光强度、光亮度、光通量和光照度等的单位， 各单位的物理意义： 光强度 cd ，坎德拉 (Candela) ： 光源在指定方向的单位立体角内发出的光通量。 光亮度 cd/m2 表示发光面明亮程度的，指发光表面在指定方向的发光强度与垂直且指定方向发光面的面积之比 。 * 光通量 lm， 流明 (Lumen) 单位时间里通过某一面积的光能，称为通过这一面积的辐射能通量。 绝对黑体在铂的凝固温度下，从5.305*103cm2面积上辐射出来的光通量为1 lm。 为表明光强和光通量的关系，发光强度为1 cd的点光源在单位立体角（1球面度）内发出的光通量为1 lm。 光照度 lx， 勒克斯 (Lux) 被光均匀照射的物体，距离该光源1米处，在1m2面积上得到的光通量是1 lm时，它的照度是1 lux。 习称“烛光米”。 * 7.2.1-1　光电管及其基本特性 １．结构与工作原理 7.2　　光电器件及其特征 * 2. 主要性能 光电特性 光电特性表示当光电管的阳极电压一定时,阳极电流I与入射在阴极上光通量Φ之间的关系。 * （2）光电管的伏安特性 在一定的光照射下，对光电器件的阴极所加电压与阳极所产生的电流之间的关系称为光电管的伏安特性。 　 真空光电管 充气光电管 150 100 50 2 0 20μlm 40μlm 60μlm 80μlm 100μlm 120μlm 4 6 8 10 12 阴极电压/V IA/μA 2 0 100 50 弱光 强光 150 4 6 8 10 12 阴极电压/V IA/μA * (3) 光电管的光谱特性 一般光电阴极材料不同的光电管有不同的红限频率，因此它们可用于不同的光谱范围。 另外，同一光电管对于不同频率的光的灵敏度不同。以GD-4型光电管为例，阴极是用锑铯材料制成，其红限λc=700nm，对可见光范围的入射光灵敏度比较高。适用于白光光源，被应用于各种光电式自动检测仪表中。 * 对红外光源，常用银氧铯阴极，构成红外探测器。 对紫外光源，常用锑铯阴极和镁镉阴极。 国产光电管的技术参数 * 由阴极、次阴极（倍增电极）、阳极组成 阴极由半导体光电材料锑铯做成，次阴极是在镍或铜-铍的衬底上涂上锑铯材料形成。次阴极可达30级。通常为12~1