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熔体旋甩工艺对n型InSb化合物的微结构和热电性能的影响.pdf
59 4 2010 4
第 卷第 期 年 月 物 理 学 报 Vol. 59 ，No. 4 ，April ，2010
1000-3290 / 2010 / 59 (04)/2860-07 ACTA PHYSICA SINICA 2010 Chin. Phys. Soc.
n InSb
熔体旋甩工艺对 型 化合物的微结构
及热电性能的影响*
苏贤礼 唐新峰 李 涵
( ， 430070)
武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室 武汉
(2009 6 23 ;2009 8 27 )
年 月 日收到 年 月 日收到修改稿
InSb ，
采用新颖的熔体旋甩结合放电等离子烧结技术制备了单相 化合物 研究了熔体旋甩工艺对其微结构以及
. ， 300 nm—2 m ，
热电性能的影响 结果表明 熔体旋甩得到的薄带自由面主要由 μ 的小柱状晶组成 薄带接触面为非
， ， 40 nm. +
晶或精细纳米晶 薄带经烧结后得到了具有大量层状精细纳米结构的致密块体 尺寸约为 与熔融 放电等
， (300—700 K)， ， Seebeck ，
离子体烧结制备样品相比 在测试温度范围内 试样的电导率略有下降 但 系数显著增加 热
， 10. 6% ，700 K
导率和晶格热导率显著降低 室温下晶格热导率降低幅度约为 下晶格热导率的降低幅度达
16. 64 % ， + + InSb 700 K ZT 0. 49 ，
熔融 熔体旋甩 放电等离子体烧结制备的 化合物试样在 时其最大 值达到 与熔
+ 29% .
融 放电等离子体烧结试样相比提高了
: ，n InSb ， ，
关键词 熔体旋甩 型 化合物 微结构 热电性能
PACC :8120 ，6865 ，6155H ，7215E
Seebeck ， ，700 K 5 ×
系数 具有高的功率因子 下达
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