深亚微米槽栅MOS器件理论及实验的研究.pdf

摘 要 摘要 随着半导体器件等比例缩小至深亚微米领域，器件的部分技术指标已经接近 或者乖在接近其固有的物理极限，小尺寸效应与可靠性问题限制了器件的发展， 成为当前超大规模集成电路技术的主要挑战之一。改变器件结构是问题的解决方 法之一。槽栅MOS器件被认为是深亚微米范围内具有应用前景的器件结构。本文 从理论、工艺技术以及测试分析等方面对槽栅MOS器件进行了分析研究。 论文首先对槽栅MOS器件的性能及其内部工作机理进行了模拟研究和预测。 分析了槽栅MOS器件区别于平面器件的根本因素——拐角效应。由于拐角效应能 够较好地阻止漏端电势的横向扩展，因此槽栅器件能够较好地抑制阈值电压随着 沟道长度的缩短而下降的趋势，亚阈特性退化有限，基本消除了漏感应势垒降低 效应；并能抑制热载流子的产生，抗热载流子特性较好，而漏端驱动能力的问题， 可以通过调整器件参数，优化器件结构得到改善。 器件建模有助于更好地表征器件特性。论文确定了表面电势同器件的结构参 数、衬底掺杂浓度、偏置电压等参数之间的关系，得出了器件表面电势的解析模 型，模型说明凹槽拐角决定了槽栅MOS器件拐角效应的结果，较大的凹槽拐角导 致了较低的表面电势，故拐角效应越显著。而阙值电压的解析模型则反映了阈值 电压