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（新课标适用）2013年高中物理 专题02 磁场（二）试题 选修3-1 选择题10 1．某同学家中电视机画面的幅度偏小，维修的技术人员检查后认为是显像管出了故障，显像管如图甲所示，L为偏转线圈，从右向左看截面图如图乙所示。引起故障的原因可能是A．加速电场的电压过大,电子速率偏大B．电子枪发射能力减弱,电子数减少C．偏转线圈的电流过大,偏转磁场增强D．偏转线圈匝间短路,线圈匝数减小 如图所示，半径为r的圆形空间内存在着垂直于纸面向外的匀强磁场，一个带电粒子(不计重力)从A点以速度v0垂直于磁场方向射入磁场中，并由B点射出，且AOB＝120°，则该粒子在磁场中运动的时间为(　　) A.　　　　B.C. D. 3．（2013年3月北京市东城区联考）如图所示，一束质量、速度和电荷量不全相等的离子，经过由正交的匀强电场和匀强磁场组成的速度选择器后，进入另一个匀强磁场中并分裂为A、B束，下列说法中正确的是(　　)A．组成A、B束的离子都带负电 B．组成A、B束的离子质量一定不同 C．A束离子的比荷大于B束离子的比荷D．速度选择器中的磁场方向垂直纸面向外 . （2013北京市门头沟区模拟）如图所示，有理想边界的匀强磁场方向垂直纸面向外，磁感应强度大小为B,某带电粒子的比荷（电荷量与质量之比）大小为，由静止开始经电压为U的电场加速后，从O点垂直射入磁场，又从P点穿出磁场。 下列说法正确的是（不计粒子所受重力） A．如果只增加U粒子可以从dP之间某位置穿出磁场 B．如果只减小B，粒子可以从边某位置穿出磁场 C．如果既减小U又增加B，粒子可以从边某位置穿出磁场 D．如果只增加，粒子可以从dP之间某位置穿出磁场5． (2013北京朝阳区期末)如图所示，一个静止的质量为m、电荷量为q的粒子（重力忽略不计），经加速电压U加速后，垂直进入磁感应强度为B的匀强磁场中，粒子打到P点，OP=x，能正确反映x与U之间关系的是 A．x与U成正比 B．x与U成反比 C．x与成正比 D．x与成反比 ．如图带电粒子以一定的初速度沿直线通过相互正交的匀强磁场和匀强电场速度选择器然后粒子通过平板S上的狭缝P，进入另一匀强磁场B），最终打在AlA2上下列表述正确的是 A. 粒子打在AlA2上粒子磁场B能通过狭缝P的带电粒子的速率等于粒子打AlA2上的位置越靠近P，粒子的比荷越大．（2013河南名校质检）图甲是回旋加速器的原理示意图．其核心部分是两个D形金属盒，在加速带电粒子时，两金属盒置于匀强磁场中(磁感应强度大小恒定)，并分别与高频电源相连．加速时某带电粒子的动能Ek随时间t的变化规律如图乙所示，若忽略带电粒子在电场中的加速时间，则下列判断正确的是(　　) A．在Ek—t图象中t4－t3＝t3－t2＝t2－t1 B．高频电流的变化周期应该等于tn－tn-1 C．粒子加速次数越多，粒子获得的最大动能一定越大 D．D形盒的半径越大，粒子获得的最大动能越大 （2013黑龙江省牡丹江市联考）导体导电是导体中的自由电荷定向移动的结果，这些可以移动的电荷又叫载流子，例如金属导体中的载流子就是自由电子。现代广泛应用的半导体材料可以分成两大类，一类是N型半导体，它的载流子为电子；另一类为P型半导体，它的载流子是“空穴”，相当于带正电的粒子。如果把某种材料制成的长方体放在匀强磁场中，磁场方向如图所示，且与前后侧面垂直。长方体中通入水平向右的电流，测得长方体的上、下表面M、N的电势分别为UM、UN，则该种材料 A．如果是P型半导体，有UM＞UN B．如果是N型半导体，有UM＜UN C．如果是P型半导体，有UM＜UN D．如果是金属导体，有UM＜UN .（6分）如图（a）所示，为某磁敏电阻在室温下的电阻－磁感应强度特性曲线，测试时，磁敏电阻的轴向方向与磁场方向相同。（1）试结合图（a）简要回答，磁感应强度B在0～0.2T和0.4～1.0T范围内磁敏电阻的阻值随磁场变化的特点 （2）磁敏电阻图（a）（）磁敏电阻与电键、电源和灵敏电流表连接若装置调整正确后再进行测量，电路中所用干电池的电动势为1.5V，试写出磁敏电阻磁场磁感应强度B从0.4T至1.2T的变化过程中，通过磁敏电阻的电流强度IA随磁感应强度B变化的关系式：。 计算题 11．（18分）（2013北京市海淀区质检）如图11所示，是电视显像管工作原理图。炽热的金属丝发射出电子，在金属丝k和金属板M之间加一电压U，使电子在真空中加速后，从金属板的小孔C穿出，进入有界abcd矩形匀强磁场，经匀强磁场射出后，打在荧光屏上，荧光屏被电子束撞击而发光。已知电子的比荷C/kg，匀强磁场的磁感应强度B=1.0×10-4T，磁场的长度l=12cm，磁场的右边界距离荧光屏L=15cm。加速电压U=20V时，电子恰好从有界匀强磁场