- 1、原创力文档(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。。
- 2、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载。
- 3、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
查看更多
(2)高掺杂浓度则可降低基区的方块电阻,且基区可以做得很薄而不需担心穿通效应。穿通效应是指集基结的耗尽层往基极延伸,最后与射基结的耗尽层接触的现象。 (3)窄基区宽度可以降低基区渡越时间,且增加截止频率,这正是人们期望的特性。 异质结双极型晶体管 最近几年磷化铟(InP)系(InP/InGaAs或AlInAs/InGaAs)的材料被系统地研究,磷化铟系的异质结构有相当多的优点。 (1)InP/ InGaAs结构具有非常低的表面复合,而且InGaAs的电子迁移率较GaAs高出甚多,使其具有相当优异的高频表现,其截止频率可高达254GHz. (2)此外,InP集电极在强电场时比GaAs集电极具有更高的漂移速率,其击穿电压亦比GaAs集电极高。 先进的HBT 异质结双极型晶体管 另一种异质结是硅/硅锗(Si/SiGe)的材料系统,此系统有几项特性在HBT的应用中非常具有吸引力。如同砷化铝镓/砷化镓HBT, (1)硅/硅锗HBT也因禁带宽度差可重掺杂而具有高速能力。 (2)硅界面具有低陷阱密度的特性,可以减少表面复合电流,确保在低集电极电流时,仍可维持高的电流增益。 (3)另外,可与标准硅工艺技术相容也是一个深具吸引力的特性。 先进的HBT 异质结双极型晶体管 导带上的能带不连续ΔEC是我们所不希望的,因为此不连续迫使异质结中的载流子必须以热电子发射或隧穿的方法才能越过势垒,因而降低发射效率和集电极电流.此缺点可由缓变层和缓变基区异质结来改善。 异质结双极型晶体管 右图显示一缓变层加在射基异质结中的能带图,其中ΔEC已被消除,缓变层的厚度为Wg。 可控硅器件是一种非常重要的功率器件,可用来作高电压和高电流的控制,使器件从关闭或是阻断的状态转换为开启或是导通的状态,反之亦然。 其工作与双极型晶体管有密切的关系,传导过程皆牵涉到电子和空穴,但其开关机制和结构与双极型晶体管不同,有较宽广范围的电流、电压控制能力,其额定电流可由几毫安到超过5000A,额定电压更超过10000V。 可控硅器件及相关功率器件 一个四层p-n-p-n器件,由三个串接的p-n结J1、J2、J3组成。与接触电极相连的最外一p层称为阳极,另一边的n层称为阴极。这个没有额外电极的结构是个两端点的器件,被称为p-n-p-n二极管。 若另一称为栅极的电极被连到内层的p2层,所构成的三端点器件一般称为可控硅器件。 基本特性 : 可控硅器件及相关功率器件 图(b)是一典型的可控硅器件掺杂浓度分布图,首先选一高阻值的n型硅片当作起始材料(n层),再以一扩散步骤同时形成p1和p2层,最后用合金或扩散,在硅片的一边形成n2层。 图(c)是可控硅器件在热平衡状态下的能带图;其中每一个结都有耗尽层,其内建电势由掺杂浓度决定。 可控硅器件及相关功率器件 A K 1 J 2 J 3 J 1 p 2 p 1 n 2 n 20 10 20 10 20 10 20 10 阴极 阳极 (a) 0 = x W x = 掺 杂 浓 度 V E C E C E V E ) ( b ) ( c (1)-(2):器件处于负电阻区域,也就是电流随电压急骤降低而增加。 基本的p-n-p-n二极管电流-电压特性,其展现出五个不同的区域: (0)-(1):器件处于正向阻断或是关闭状态,具有很高的阻抗;正向转折(或开关)发生于dV/dI=0;在点1定义正向转折电压VBF和开关电流Is。 可控硅器件及相关功率器件 (2)-(3):器件处于正向导通或开启状态,具有低阻抗,在点2处dV/dI=0,定义保持电流Ih和保持电压Vh。 基本的p-n-p-n二极管电流-电压特性,其展现出五个不同的区域: 可控硅器件及相关功率器件 (0)-(4):器件处于反向阻断状态。 (4)-(5):器件处于反向击穿状态。 下图表示基本的p-n-p-n二极管电流-电压特性,其展现出五个不同的区域: 因此,p-n-p-n二极管在正向区域是个双稳态器件,可以由高阻抗低电流的关闭状态转换到低阻抗高电流的开启状态,反之亦然. 可控硅器件及相关功率器件 双向可控硅器件是一种在正或负阳极电压下皆可以开或关的开关器件,这使得它在交流应用方面非常得心应手。 图(a)是一个以平面工艺制造、具有栅极电极连接到p2区域的可控硅器件,图(b)是沿着虚线切开的横截面图。 双向可控硅器件 : 可控硅器件的电流-电压特性与p-n-p-n二极管类似,但多了Ig,当栅极电流增加时,可以降低产生正向转折的电压。 可控硅器件及相关功率器件 Thanks for listening 例3:已知在一理想晶体管中,各电流成
文档评论(0)