半导体物理与器件1.1——第七章.ppt

* * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * 非均匀掺杂pn结 线性缓变的PN结实际的PN结制造过程（外延、扩散或离子注入工艺）往往形成的是一个近似线性缓变的PN结。N型掺杂浓度与P型掺杂浓度相等之处，即为PN结界面的位置，也就是冶金结的位置。 线性缓变pn结的特性 电势分布可以进一步求得： 假设-x0处的参考电位为零，则可以求出： 在x0处即为该pn结的接触电势差： 如果采用和突变结类似的内建电势差公式，则有： 当外加反偏电压为VR时，则耗尽区相应展宽，并且在整个耗尽区内电场的积分为Vbi+VR，即： 注意：隐含了两侧掺杂浓度梯度相同的假设 可求得： 与突变结类似地，我们还可以求得势垒电容： 从上式可以看出，线性缓变pn结的反偏势垒电容与 成正比，也即：与线性掺杂pn结相比，均匀掺杂的pn结势垒电容的大小对反偏电压更为敏感。 超突变的PN结 对于一个单边突变的P＋N结，我们考虑更一般的情况，即当x0时，N型区的掺杂浓度可表示为： N = Bxm当m=0时，即为均匀掺杂的情形；而当m=1时，即为线性缓变PN结的情形；当m为负值时，即为所谓的超突变掺杂的PN结。采用类似的分析方法，我们可以求得超突变掺杂PN结单位面积的耗尽区电容为： 超突变掺杂pn结的杂质浓度分布示意图 由上式可见，当m为负值时，超突变掺杂pn结的耗尽区电容随外加反向偏压得变化十分明显，这正是变容二极管所要求的。当变容二极管与某个电感相并联时，其谐振频率为： 变容二极管的电容可表示为： 在电路应用中，我们总是希望谐振频率能够与控制电压成线性变化关系，即要求 由此得到： 小结 均匀掺杂同质pn结 空间电荷区（极性）、耗尽区、势垒区 内建电场（方向）、内建电势差 pn结热平衡态（零偏），内建电势差大小 耗尽区假设、空间电荷区宽度 反偏pn结，势垒电容 非均匀掺杂，线性缓变结 超突变结、变容二极管的概念 本章作业题 7.1 7.16 7.18 谢 谢 发展历史：肖特基——PN结——MOS——异质结 器件核心：结 * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * 半导体物理与器件 1995年，K. K. Ng在《半导体器件指南》一书中，定义了67种主要的半导体器件及其相关的110多个变种。然而，所有这些器件都只由以下的少数几种器件单元组成。 第七章 pn结 pn结的基本结构及重要概念 pn结零偏下的能带图 pn结空间电荷区的形成 pn结内建电势差和空间电荷区的内建电场 外加偏压下pn结空间电荷区的变化 反偏pn结电容——势垒电容的概念 突变结与缓变结 pn结是大多数半导体器件都会涉及到的结构。因而半导体器件的特性与工作过程同pn结的特性和原理密切相关。因而pn结对于半导体器件的学习是特殊重要的。在pn结基本结构和原理的学习过程中，我们会遇到一些非常基本和重要的概念，是以后的学习过程中会不断提到的，因而一定要理解这些概念的物理涵义和基本性质。 重点概念：空间电荷区、耗尽区、势垒区、内建电场、内建电势差、反偏、势垒电容等等 分析pn结模型的基础：载流子浓度、费米能级、电中性条件、载流子的漂移与扩散、双极输运方程 固体物理 量子力学 统计物理 能带理论 平衡半导体 载流子输运 非平衡半导体 pn结 MS结 异质结 双极晶体管 pn结二极管 肖特基二极管 欧姆接触 JFET、 MESFET、 MOSFET、 HEMT 从物理到器件 §7.1 pn结的基本结构 若在同一半导体内部，一边是p 型，一边是n 型，则会在p 型区和n 型区的交界面附近形成pn 结，它的行为并不简单等价于一块p型半导体和n 型半导体的串联。这种结构具有特殊的性质：单向导电性。pn结是许多重要半导体器件的核心。 pn结的空间电荷区和内建电场 浓度差 多子扩散 杂质离子形成空间电荷区 内建电场 阻止多子的进一步扩散 促进少子的漂移 动态平衡（零偏） 由于pn结两侧存在着电子和空穴的浓度梯度，因此电子和空穴将分别由n型区和p型区向对方区域扩散，同时在n型区中留下固定的带正电荷的施主离子，在p型区中则留下固定的带负电荷的受主离子。这个固定的正负电荷区即为空间电荷区，空间电荷区中将形成内建电场，内建电场引起载流子的漂移 运动，载流子的漂移运动与载流子的扩散运动方向相反，最后二者达到平衡。 由于空间电荷区中的可动载流子基本处于耗尽状态，因此空间电荷区也称作耗尽区。  pn结指p型半导体和n型半导体形成的界面，显然该界面实际为包括整个空间电荷区在内的空间区域。而空间电荷区及扩散区之外，和独立的掺杂半导体性质相同的区域，不属于pn结的区域。 pn Vs. pn结二极管?半