第7章存储器系统精要.ppt

第7章 存储器系统 （1）RAM CPU在执行程序的过程中，根据程序的安排，CPU可以对每个存储单元的内容既可随时读出，也可以随时写入，所以称之为随机存取存储器，也可以称之为读/写存储器； 它主要被用来存取各种程序、原始数据以及运算结果，还用来作为输入输出缓冲存储器。 DRAM（动态RAM） 基本存储单元电路依靠MOS管栅源之间的分布电容暂时存储电荷的原理来记忆二进制信息，故电路简单，集成度非常高。功耗低于SRAM，存取速度高于SRAM，成本低。 4．可靠性：存储器工作的可靠性是指它抗干扰，正确完成读/写数据的性能。 ◆如果浮栅中已有电子注入，则MOS管的阈值电压 变得很高，即使G2栅加读出电压（低于编程脉冲 电压），控制栅上的正电压不足以克服浮栅上的 负电量，该管仍然不能导通，沟道处于关闭状态。 ◆当浮栅中没有电子注入时，在控制栅G2加读出 电压时，浮栅中的电子跑到其上层，下层出现空 穴，由于感应，便会吸引电子，在漏源之间形成 导电的反型层（电子沟道），可以导通，即控制 栅G2上的正电压足以开启晶体管。 （2）EPROM芯片举例 ①Intel 2764内部有256×256存储阵列，采用双译码方式，用于寻址8KB存储单元，并有输出缓冲器。 ②具有28脚双列直插式封装，其中A12 ～ A0是地址 线，O7～O0是8根地址线。VCC是电源电压 （+5V），称工作电压。 ③VPP是编程电压，在编程时接12 ～ 25V电压，一 定要根据2764芯片上实际标注的电压值外加编程 电压VPP。 是编程控制端。 4．电擦除只读存储器EEPROM （1）E2PROM基本存储电路 E2PROM与EPROM的结构相类似，其主要区别是在 G1栅和漏极D之间有一小面积的氧化层，其厚度极 薄，可以降低势垒，产生隧道效应。 ③ 刷新操作 刷新操作也称为再生操作。实现刷新一般采 用“仅行地址有效”法进行刷新。 EPROM芯片2764 ◆存储容量为8K×8 ◆28个引脚： 13根地址线A12～A0 8根数据线O7～O0 片选CE 编程PGM 读写OE 编程电压VPP Vpp A12 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 O0 O1 O2 GND Vcc PGM NC A8 A9 A11 OE A10 CE O7 O6 O5 O4 O3 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 28 27 26 25 24 23 22 21 20 19 18 17 16 15 图7-11 EPROM 2764的引脚与内部结构 (a)引脚图 256×256存储举阵 Y门 输出缓冲 X译码 Y译码 输出允许 编程逻辑 … . . . . . . . . . . . . O7 … O0 OE PGM CE A0 A7 A8 A12 （2）EPROM芯片举例 图7-11 EPROM 2764的引脚与内部结构 (b)内部结构图 N+ N+ + 漏极（接地） P衬底 热电子 源极（接地） 控制栅G2（加编程脉冲正电压） 漏极 + + + G1 G2 图7-12 （a）写“1”过程 （1）E2PROM基本存储电路 图7-12（a）是E2PROM的写“1” 过程，它是利用隧道效应来实 现的，使得能量小于能量势垒 的电子能够穿越势垒到达另一 边。写入“1”时，只需在控制 栅上施加高于阈值电压的编程 脉冲，以减少电场作用，吸引 电子穿越。而漏极与源极均接 地，通过隧道效应，电子由衬 底注入G1浮栅，相当于存入 “1”。 N+ N+ + 漏极（编程脉冲） P衬底 源极（接地） 控制栅G2（接地） 漏极 + + + G1 G2 图7-12 （b）写“0”过程 （1）E2PROM基本存储电路 + + + + 图7-12（b）是写“0”过程： 在漏极加高压编程脉 冲；控制栅G2和源极都 接地；浮栅上的电子也 是通过隧道效应返回衬 底，相当于写“0”。 EEPROM芯片2864A ★存储容量为8K×8位 ★28个引脚： 13根地址线A12～A0 8根数据线D7～D0 片选CE 读出信号OE 写信号WE Vcc WE NC A8 A9 A11 OE A10 CE D7 D6 D5 D4 D3 NC A12 A7 A6 A5 A4 A3 A2 A1 A0 D0 D1 D2 GND 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 28 27 26 25 24 23 22 21 20 19 18 17 16 15 图7-13 2864A引脚及内部结构图 （a）引脚图 （2）E2PROM芯片举例 8K×8 E2