第三章太阳能电池—第一讲精要.ppt

如果结较浅，光子将进入pn结区，甚至更深入到半导体内部。能量大于禁带宽度的光子，由本征吸收在结的两边产生电子-空穴对。 在光激发下多数载流子浓度一般改变较小，而少数载流子浓度却变化很大。 设入射光垂直pn结面 由于pn结势垒区内存在较强的内建电场（自n区指向p区），结两边的光生少数载流子受该场的作用，各自向相反方向运动： p区的电子穿过p-n结进入n区；n区的空穴进入p区，使p端电势升高，n端电势降低，于是在p-n结两端形成了光生电动势，这就是p-n结的光生伏特效应。 由于光照在p-n结两端产生光生电动势，相当于在p-n结两端加正向电压 V，使势垒降低为qVD-qV，产生正向电流IF. 光照前 光照后 少数载流子的漂移 在pn结开路的情况下，最终p-n结两端建立起稳定的电势差Voc，（p区相对于n区是正的），这就是光电池的开路电压。如将pn结与外电路接通，只要光照不停止，就会有源源不断的电流通过电路，p-n结起了电源的作用。这就是光电池的基本原理。 由上面分析可以看出，为使半导体光电器件能产生光生电动势（或光生积累电荷），它们应该满足以下两个条件： 1、半导体材料对一定波长的入射光有足够大的光吸收系数?，即要求入射光子的能量h?大于或等于半导体材料的带隙Eg，使该入射光子能被半导体吸收而激发出光生非平衡的电子空穴对。 2、具有光伏结构，即有一个内建电场所对应的势垒区。势垒