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计算机组成与结构 第4章 主存储器 董志学 2014.2 第4章 主存储器 主要内容： 4.1 主存储器分类、技术指标和基本操作 4.2 读/写存储器 4.3 非易失性半导体存储器 4.4 存储器的组成与控制 4.5 多体交叉存储器 4.1 主存储器分类、技术指标和基本操作 主存储器分类： (1)随机存储器(Random Access Memory，简称RAM) 随机存储器(又称读写存储器)——指通过指令可以随机地、个别地对各个存储单元进行访问，一般访问所需时间基本固定，而与存储单元地址无关。 停电会造成信息丢失。RAM为“易失性存储器”。 (2)非易失性存储器 停电仍保持存储内容。这类存储器包括： 只读存储器(Read-Only Memory，简称ROM) 可编程序的只读存储器 (Programmable ROM，简称PROM) 可擦除可编程序只读存储器 (ErasablePROM，简称EPROM) 可用电擦除的可编程只读存储器 (electrically EPROM，简称E2PROM) 主存储器的主要技术指标： 主存储器的主要性能指标为: 主存容量、存储器存取时间和存储周期时间。 计算机可寻址的最小信息单位是一个存储字，相邻的存储器地址表示相邻存储字，这种机器称为“字可寻址”机器。 一个存储字所包括的二进制位数称为字长。 一个字又可以划分为若干个“字节”，现代计算机中，大多数把一个字节定为8个二进制位，因此，一个字的字长通常是8的倍数。 有些计算机可以按“字节”寻址，因此，这种机器称为“字节可寻址”计算机。 以字节为单位来表示主存储器存储单元的总数，就是主存储器的容量。 指令中地址码的位数决定了主存储器的可直接寻址的最大空间。 例如，32位超级微型机提供32位物理地址，支持对4G字节的物理主存空间的访问。 常用的计量存储空间的单位还有K，M。 K为210，M为220，G为230 ，T为240。 存储器存取时间 存储器存取时间(memory access time)又称存储器访问时间。 存储周期 存储周期(memory cycletime): 指连续启动两次独立的存储器操作(例如连续两次读操作)所需间隔的最小时间。 主存储器的基本操作 主存储器用来暂时存储CPU正在使用的指令和数据，它和CPU的关系最为密切。 4.2 读/写存储器 随机存储器(RAM) 半导体读／写存储器按存储元件在运行中能否长时间保存信息来分，有静态存储器和动态存储器两种。 静态存储器的集成度低，但功耗较大；动态存储器的集成度高，功耗小，它主要用于大容量存储器。 1．静态存储器(SRAM) 图4.2MOS静态存储器的存储单元 图4.3MOS静态存储器结构图 图4.4静态存储器芯片读数时序 图4.5静态存储器写时序 2．动态存储器(DRAM) (1)存储单元和存储器原理 图4.6单管存储单元线路图 单管单元的优点是: 线路简单，单元占用面积小，速度快。 单管单元的缺点是： 读出是破坏性的，故读出后要立即对单元进行“重写”，以恢复原信息； 图4.716K×1位动态存储器框图 (2)再生 DRAM是通过把电荷充积到MOS管的栅极电容或专门的MOS电容中去来实现信息存储的。 但是由于电容漏电阻的存在，随着时间的增加，其电荷会逐渐漏掉，从而使存储的信息丢失。为了保证存储信息不遭破坏，必须在电荷漏掉以前就进行充电，以恢复原来的电荷。 把这一充电过程称为再生，或称为刷新。 对于DRAM，再生一般应在小于或等于2ms的时间内进行一次。 DRAM采用“读出”方式进行再生。 由于DRAM每列都有自己的读放，因此，只要依次改变行地址，轮流对存储矩阵的每一行所有单元同时进行读出，当把所有行全部读出一遍，就完成了对存储器的再生 (这种再生称行地址再生)。 (3)时序图 图4.8动态存储器RAS、CAS与地址Adr的相互关系 图4.9动态存储器读工作方式时序图 图4.10动态存储器写工作方式时序图 图4.11动态存储器页面读方式时序图 3．DRAM的发展 （1）同步DRAM(SDRAM) 典型的DRAM是异步工作的，处理器送地址和控制信号到存储器后，等待存储器进行内部操作(选择行线和列线，读出信号放大，并送输出缓冲