2864是8K字节的E2PROM, 第六章 1-----16 说明: 图中的2864既是程序存储器又是数据存储器,这时程序和数据存储器要统一编址。 27128的A0~A12 —— 接地址总线A0~A12 OE ——单片机的RD、 PSEN通过与门输入 WE —— 接 WR O0~O7 —— 接 D0 ~ D7 在MCS-51单片机中没有独立的I/O指令,将外部数据存储器与I/O接口统一编址,在设计扩展电路时首先考虑各个芯片的地址编址问题。即存储器和I/O接口芯片的地址线及片选与单片机地址总线的连接问题。 第六章 1-----17 第三节 数据存储器的扩展 一、数据存储器和I/O接口扩展的基本方法 在单片机系统中常用的数据存储器是静态随机存储器(SRAM),其典型的芯片有6264(8K×8位)、62256(32K×8位)。 RAM管脚(6264): 1) A0~A15 地址线。 6264(A0~A12),62256(A0~A14); 2)CE1、CE2 芯片使能信号 3)OE 输出允许 4) WE 写允许 5)IO0~IO7 数据线 第六章 1-----16 A0~A13 —— 接地址总线A0~A13 CE1、CE2 —— CE1接片选信号,CE2接电源 OE —— 接 RD WE —— 接 WR IO0~IO7 —— 接 D0 ~ D7 RAM与单片机的连线: 第六章 1-----16 片选信号的产生有三种方法: 线选法 ——直接利用地址总线的高位地址线作为存储器芯片的片选信号。 优点:电路简单,不需要地址译码器硬件,体积小,成本低 缺点:可寻址的器件数目受限制,地址空间不连续 译码法 ——使用译码器对高位地址进行译码,译码器的输出作为存储器芯片的的片选信号 ,有全译码和部分译码。 ——是一种最常用的方法,能有效的利用存储空间,适用于大容量多芯片的存储器扩展。 —— 常用译码器芯片有74LS138(3-8)、74LS139(2-4)、74LS154 (4-16) 例1. 6264静态RAM扩展电路 第六章 1-----18 二、数据存储器扩展举例 例2 如图为采用74LS139译码扩展两片2764(8K)EPROM和两片6264(8K)RAM芯片的电路,分析它们的地址范围。 第六章 1-----20 G Y3 B Y2 A Y1 Y0 A0 ~A7 A8~ A12 CE 2764(1) D0~D7 OE DO Q0 ~ ~ D7 Q7 G A0 ~A7 A8~ A12 CE 2764(2) D0~D7 OE A0 ~A7 A8~ A12 CE 6264(1) D0~D7 WE OE A0 ~A7 A8~ A12 CE 6264(2) D0~D7 WE OE G Y3 B Y2 A Y1 Y0 G Y3 B Y2 A Y1 Y0 P2.7 P2.6 P2.5 P2.0 ~ P2.4 P0.0 ~ P0.7 ALE 8031 PSEN WR EA RD 2764(1) : 0000H~1FFFH 2764(2) : 2000H~3FFFH 6264(1) : 4000H~5FFFH 6264(2) : 6000H~7FFFH 1.TTL并行输入、输出接口 根据“输入三态,输出锁存”与总线相连的原则,可采用TTL电路或CMOS电路的锁存器、三态缓冲器扩展简单的I
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