无机纳米聚酰亚耐局放装置的改进及其耐局放性能测量.pdfVIP

啥尔宾理 1人学厂笼坏夕1}论文 无机纳米聚酞亚胺耐局放装置的改进及其 耐局放性能测量 摘 要 作为在交流调速电机中广泛采用的薄膜绝缘材料，其性能的优劣直接影响 到电机在使用过程中的运行状况。绝缘薄膜材料在长期的运行过程中，受到电、 热、机械和环境因素的联合作用，其性能将因此逐渐变坏，并最终导致绝缘击 穿。为了保障交流调速电动机高效、安全运行，绝缘诊断和剩余寿命评估技术 显得日益迫切和重要。 本文在对实验室原有耐局部放电试验装置存在的问题进行总结的基础上， 重点介绍了耐局部放电试验装置的整体结构设计方案、主要性能和技术路线、 硬件工作原理、接口电路设计的情况;详细描述了装置软件的设计要求、软件 程序编写的原理及使用方法。在介绍系统软硬件设计的同时，结合系统调试的 实践，论文对系统干扰问题和系统数据采集等有关问题，特别是在系统屏蔽外 界干扰方面进行了深入的探讨。 实际运行表明，以MCS-51单片机为核心的系统结构，结合一定的软件和 硬件方面的改进，能够屏蔽外界千扰信号。该系统为薄膜材料耐电晕性能的检 测提供了一定的数据。装置中的软件和硬件能够按照设计要求平稳运行。改进 后的试验系统具有良好的稳定性和安全性，系统体积大为减少，操作简便，保 护操作人员的安全。 论文利用该测量装置进行了一系列的试验。首先，对美国杜邦公司出产的 聚酞亚胺薄膜绝缘材料进行了一系列耐局部放电试验，结果显示，薄膜在 40kV/mm和20kV/二场强下，绝缘材料发生破坏的时间分别为 13小时和 51小 时，前者与杜邦公司材料上介绍的数据基本一致，而后者则仅为其 1/2。其次， 对本课题组自主制备的纳米掺杂聚酞亚胺薄膜试样和杜邦公司生产的纳米掺杂 绝缘材料进行了初步试验，结果显示两种薄膜的耐局部放电性能有了某种程度 的提高。最后，论文还解释了性能提高的可能原因。 关键词 局部放电;装置;屏蔽;纳米掺杂;聚酞亚胺 哈尔滨理 }人 {iii曰仑又 TheImprovementofPartialDischarge-ResistanceDeviceand MeasurementofPartialDischarge-Resistanceof Inorganic-nanoPolyimide Abstract ThefilminsulationiswidelyusedinACspeed-controlmachine,itspropertyhas influenceonthelifeandreliabilityofmachinegreatly.Duringthelongoperational time,thefilminsulationisexposedtotheelectrical,thermalandmechanicalstresses, whichwillcauseinsulationdegradationandleadtobreakdownfinally.Therefore, insulationdiagnoseandevaluationofresiduallifearenecessaryandimportantto ensurethehighefficiencyandsecurityofACspeed-controlmachine. Consideringsomeproblemsthatexistedonthepartialdischarge-resistancetest deviceusedinourlaboratory,thispaperdesignedthetestsystemagain.Thenewtest deviceemphasizedonthemainperformance,therealizingmethodofhardwareand softwareandthedesignofinterfacecircuit,thegreatimprovementonthe anti-interferenceandshieldingenvironmentjammingareachieved. ThetestingresultshowedthattheimproveddeviceusingMCS-5