极紫外光刻掩模变形及其对光刻性能的影响.pdfVIP

摘要 摘 要 极紫外光刻是实现 45nm 及其以下节点的主要候选技术之一，随着图形 特征尺寸逐渐减小，曝光过程中掩模热变形对光刻性能的影响越来越严重。 因此，全面分析曝光过程中掩模热变形并研究其对光刻性能的影响是非常有 意义的。本文针对产量为 81 片/ 小时的极紫外光刻系统，使用有限元方法建 立模型，全面分析不同条件下掩模热变形，并研究掩模热变形对光刻胶图形 的影响。具体工作分为两部分。 首先研究极紫外光刻曝光过程中掩模热变形。掩模约在工作 500~600s 内温度以及变形分布达到稳态，达到稳态后处于振荡平衡状态。分析了基底 材料分别使用 ULE 玻璃和石英玻璃时，掩模与卡盘间接触热传导系数、掩 模图形密度以及掩模与卡盘间摩擦力对掩模热变形的影响。增大掩模与卡盘 间接触热传导系数、分散布置吸收极紫外光比率大的图形模块、控制和利用 掩模与卡盘间摩擦力，可使得掩模热变形达到最小。 其次，利用有限元计算结果，分析掩模热变形对光刻性能的影响。对 于密集线条、半密集线条和孤立线条，掩模热变形引起的光刻胶图形 CD 偏 差变化最大分别为 1％、0.5 ％和 2.87 ％；引起的侧壁角度变化最大分别为 2.9 度、2.4 度和 3.8 度。掩模热变形引起的光刻胶图形偏移还与像差有关， 不同像差作用下，掩模热变形引起光刻胶图形偏移不同，无像差条件下，对 于密集线条、半密集线条和孤立线条，掩模热变形引起的光刻胶图形偏移最 大分别为5.02nm、5.32nm 和5.53nm 。 关键词：极紫外光刻，热变形，有限元方法，掩模，光刻胶图形 - I - Abstract Abstract Thermal deformation of EUV mask and its influence on lithographic performance Zhou Pengfei(Electrical Engineering) Directed by Professor Li Yanqiu Extreme ultraviolet lithography (EUVL) is one of the promising lithography technologies for 45 nm features. EUVL will be required to satisfy the stringent error budgets, one of which is the thermal distortion of the mask during exposure. The focus of this research was to quantify the thermal distortion, and analyze the influence of thermal distortion on lithographic performance. This was accomplished with finite element methods which were developed for this research. All of the analysis was for a EUVL system with a throughput of 81 wafers-per-hour. The detailed work includes the following two parts. First, analyze the distortion of EUV mask durin