半导体传感器2014-2祥解.ppt

3.电荷的检测（输出） 电荷的检测是将转移过来的信号电荷转换成电信号的过程，进行电荷检测的基本原理如图2.42所示。 图2.42 CCD信号电荷检测原理 电容器两端的电压变化 信号电荷量 电容器的电容 4.不同CCD图像传感器在转移方式上的差异 ⑴帧转移方式 图2.43 帧转移方式 ⑵行间转移方式 图2.44 行间转移方式 ⑶帧行间转移方式 图2.45 帧行间转移方式 本章重点内容小结： ⒈内光电效应的概念； ⒉以光敏电阻为代表的光电导效应型光传感器的结构、工作原理及特性； ⒊光电池、光敏二极管及光敏三极管的结构、工作原理、特性及电路分析； ⒋掌握CCD图象传感器：电荷产生及储存、转移和检测的工作原理。 人有了知识，就会具备各种分析能力， 明辨是非的能力。 所以我们要勤恳读书，广泛阅读， 古人说“书中自有黄金屋。 ”通过阅读科技书籍，我们能丰富知识， 培养逻辑思维能力； 通过阅读文学作品，我们能提高文学鉴赏水平， 培养文学情趣； 通过阅读报刊，我们能增长见识，扩大自己的知识面。 有许多书籍还能培养我们的道德情操， 给我们巨大的精神力量， 鼓舞我们前进。 * 实验证明，光敏三极管的截止频率和它的基区厚度成反比关系。如果要求截止频率高，那么基区就要薄；但基区变薄，光电灵敏度将降低，在制造时要适当兼顾两者。 * 二、光敏二极管的工作原理 光敏二极管在电路中通常处于反向偏置状态，反向电流的大小取决于少数载流子的浓度。无光照时，少数载流子数目很少，所以反向电流很小。当光照产生光生伏特效应时，光生电子-空穴对分别定向运动形成光电流，使反向电流明显增大。如果入射光的照度变化，光生载流子浓度相应变动，光电流也会随之变动，于是光敏二极管将光信号转换成了电信号。 简单来说，光敏二极管在反向偏压下的反向电流（主要是光电流）随光照强度的变化而变化。 三、光敏二极管的特性 1.光照特性 光敏二极管的光电流与光照度之间呈线性关系，其光照特性是线性的，所以适合定量检测等方面的应用。 2.光谱特性 特点是：存在长、短波限，存在峰值波长；pn结靠近硅片表面可提高短波响应灵敏度；使用高阻单晶硅材料，可使耗尽区在反偏压时加宽，提高长波响应灵敏度。 3.暗电流的影响 在实际应用中，我们期望暗电流越小越好，管芯的受光面积小、所加电压低和环境温度降低都会使暗电流减小，从而影响光敏二极管的性能。此外，硅管的暗电流要比锗管小几个数量级。 四、PIN光敏二极管 PIN管是光敏二极管的改进模式。它的结构特点是，在P型半导体和N型半导体之间夹着一层（相对）很厚的本征半导体I层，使PN结结电容变小，从而频带将变宽，响应速度快。 P-Si N-Si I-Si 图2.17 PIN管结构示意图 图2.18 PIN光敏二极管外形 优点：频带宽，可达10GHz，提高了响应速度。另一个特点是，因为I层很厚，在反偏压下运用可承受较高的反向电压，光电转换效率高，暗电流小，线性输出范围宽。 不足：I层电阻很大，PIN管子的输出电流小，一般多为零点几微安至数微安。目前有将PIN管与前置运算放大器集成在同一硅片上并封装于一个管壳内的商品出售。 PIN光敏二极管可用于各种数字与模拟光纤传输系统、各种家电遥控器的接收管（红外波段）等。 PIN型光电二极管的特性： 五、APD光敏二极管(雪崩式光敏二极管) APD光敏二极管是利用PN结在高反向电压下产生的雪崩效应来工作的一种二极管。这种管子工作电压很高，约100～200V，接近于反向击穿电压。其结构为 ，如图2.19所示。 N-Si P-Si P -Si + 图2.19 APD管结构示意图 图2.20 APD光敏二极管外形 雪崩式光敏二极管的特性： 优点：这种管子有很高的内增益（电流放大功能），具有高响应度。这种管子响应速度特别快，带宽可达100GHz，是目前响应速度最快的一种光敏二极管。 APD光敏二极管可广泛应用于微光信号检测、长距离光纤通信、激光测距、激光制导等光电信息传输和光电对抗系统。 六、光敏二极管的应用电路 1.光敏二极管与反相器的连接