南通大学模电课件第五章解读.ppt

5.3 结型场效应管 5.3.1 JFET的结构和工作原理 5.3.2 JFET的特性曲线及参数 5.3.3 JFET放大电路的小信号模型分析法 5.3.1 JFET的结构和工作原理 1. 结构 # 符号中的箭头方向表示什么？ 2. 工作原理 ① vGS对沟道的控制作用 当vGS＜0时 （以N沟道JFET为例） 当沟道夹断时，对应的栅源电压vGS称为夹断电压VP （ 或VGS(off) ）。 对于N沟道的JFET，VP 0。 PN结反偏 耗尽层加厚 沟道变窄。 ? ? vGS继续减小，沟道继续变窄。 2. 工作原理 （以N沟道JFET为例） ② vDS对沟道的控制作用 当vGS=0时， vDS? ? ID ? G、D间PN结的反向电压增加，使靠近漏极处的耗尽层加宽，沟道变窄，从上至下呈楔形分布。 当vDS增加到使vGD=VP 时，在紧靠漏极处出现预夹断。 此时vDS ? 夹断区延长 ? 沟道电阻? ? ID基本不变 ? 2. 工作原理 （以N沟道JFET为例） ③ vGS和vDS同时作用时 当VP vGS0 时，导电沟道更容易夹断， 对于同样的vDS ， ID的值比vGS=0时的值要小。 在预夹断处 vGD=vGS-vDS =VP * 第五章 场效应管放大电路 第5章 场效应管放大电路 场效应管是一种利用电场效应来控制其电流的半导体器件。 特点：输入阻抗高、热稳定性好、噪声小、抗辐射、制造工艺简单 等优点。MOSFET大规模和超大规模集成电路中占有很重要的地位。 P沟道 耗尽型 P沟道 P沟道 N沟道 增强型 N沟道 N沟道 （耗尽型） FET 场效应管 JFET 结型 MOSFET 绝缘栅型 (IGFET) 场效应管的分类： 5.1.1 N沟道增强型（绝缘栅）MOSFET 1、结构 5.1 金属—氧化物—半导体场效应管（MOSFET） L ：沟道长度 W ：沟道宽度 tox ：绝缘层厚度 通常 W L 符号解释： 虚线表示，只有在加上柵极电压后，才有导电沟道（增强型）； 箭头方向表示从P指向N，由此可判断沟道类型。 g,d,s分别对应于三极管的b极，c极，e极。 5.1.1 N沟道增强型MOSFET（绝缘栅） 1、结构 5.1 金属—氧化物—半导体场效应管（MOSFET） 剖面图 符号 绝缘栅型 2、工作原理 1）VGS对工作的影响（设VDS=0） ①当VGS=0时，若加上VDS ?0，∵两个PN结有一个反偏，R很大， ∴ iD=0 ②当VGS ≠ 0（ ? 0），绝缘层 ? 平板电容? 强电场? 排斥空穴（吸引电子），留下负离子。当VGS ? VT时，未形成导电沟道，这时VDS ? 0， iD=0 VT 称为开启电压 2、工作原理 1）VGS对工作的影响（设VDS=0） ②当VGS ≠ 0（ ? 0），绝缘层 ? 平板电容? 强电场? 排斥空穴（吸引电子），留下负离子。当VGS ? VT时，未形成导电沟道，这时VDS ? 0， iD=0 ③当VGS ?VT，吸引足够多的电子?N型薄层（反型层、感生沟道），这时若VDS ? 0，通过感生沟道产生iD。 2. 工作原理 （2）vDS对沟道的控制作用 ?靠近漏极d处的电位升高 ?电场强度减小 ?沟道变薄 当vGS一定（vGS VT ）时， vDS? ?ID? ?沟道电位梯度? 整个沟道呈楔形分布 当vGS一定（vGS VT ）时， vDS? ?ID? ?沟道电位梯度? 当vDS增加到使vGD=VT 时，在紧靠漏极处出现预夹断。 2. 工作原理 （2）vDS对沟道的控制作用 在预夹断处：vGD=vGS-vDS =VT 预夹断后，vDS? ?夹断区延长 ?沟道电阻? ?ID基本不变 2. 工作原理 （2）vDS对沟道的控制作用 2. 工作原理 （3） vDS和vGS同时作用时 vDS一定，vGS变化时 给定一个vGS ，就有一条不同的 iD – vDS 曲线。 3. V-I 特性曲线及大信号特性方程 （1）输出特性及大信号特性方程 ① 截止区 当vGS＜VT时，导电沟道尚未形成，iD＝0，为截止工作状态。 ② 可变电阻区 vDS≤（vGS－VT） 一个受vGS控制的可变电阻 ③ 饱和区 （恒流区又称放大区） 3. V-I 特性曲线及大信号特性方程 （1）输出特性及大信号特性方程 ③ 饱和区 （恒流区又称放大区） vGS VT ，且vDS≥（vGS－VT） 是vGS＝2VT时的iD V-I 特性： 3. V-I 特性曲线及大信号特性方程 （2）转移特性 5.