材料物理化学晶体缺陷3祥解.pptVIP

* * 位错在空间沿折线运动所需能量大，外加切应力在新滑移方向上不一定超过临界应力，造成位错在晶界前停滞塞积。 障碍前塞积的位错可能造成微裂纹。 * * 第七节 面缺陷 一、表面与晶界 在实际晶体中，晶体不会无穷大，存在一定的边沿，即存在表面。 同时，物质一般也不会是由一块晶体构成，而是由多块晶体构成，晶体与晶体之间存在边界，即晶界。 * * 二、面缺陷 沿某一晶面，两边的原子排列不同，即存在结构缺陷，该缺陷为二维延伸的面，在面上薄层内原子排列偏离平衡位置，故为面缺陷。包括表面、相界与晶界等。 * * 一 外表面：表面原子的排列与内部有较为明显的差别，表面处原子周期性排列中断，形成附加表面能。 为减小表面能，原子排列必须作相应调整。对晶体而言，经过4－6层后，原子排列与晶体内基本接近(晶格常数差小于0.1A)。 * * 在实际的表面上存在着大量的平台(Terrace)、台阶(Ledge)和扭折(Kink，亦称为断口)。该结构称为TLK模型。 高低不平＋微裂纹 * * Terrace Ledge Kink * * 实际存在的表面，表面上能量高、活性大，发生大量的吸附与化合等 。 表面点缺陷主要是原子热运动造成的表面空位或空位团簇(Cluster) 。 * * 二 晶界 晶粒间界的简称：陶瓷材料是多晶材料，由大量晶粒构成（晶体生长在许多部位同时生长，不形成均匀单晶）。 晶界是多晶体中由于晶粒取向不同而形成的，有序到无序的过渡区域。 晶界性质对陶瓷材料性质具有重大影响。 * entire sample Crystal lattice structure within a single grain Break down of atomic symmetry at grain boundaries Grains separated by a grain boundaries * * 晶粒空间位向不同 空间过渡：atom simulation of Si grain boundary TEM image showing grain boundaries Grain Boundary HRTEM * * 晶界上质点排列不规则，偏离理想结构，质点距离疏密不均，从而形成微观的机械应力，称晶界应力。 晶界上应力集中 杂质、空位、气孔聚集，缺陷较多，应力集中。 多晶材料晶界两侧，晶粒取向不同，热膨胀系数、弹性模量等物理性质均有差异，烧成后冷却过程产生晶界应力。 固溶体晶界两侧晶粒化学组成不同，烧成后冷却过程产生晶界应力。 * * 晶粒越大，晶界应力也越大。 故一些粗晶材料甚至由于晶界应力造成晶粒贯穿性断裂，造成陶瓷材料机械强度、介电性质较差。 陶瓷生产中需限制晶粒长大，如制定严格烧成制度、人为掺杂等。 * * 晶界的类型 据晶界处两晶粒取向间夹角（晶界角）大小 晶界角θ， θ＝θ1＋θ2 ， ??10?称为小角度晶界。 ??10?称为大角度晶界。 多晶体中，大角度晶界为主，质点排列接近无序。 晶粒1 晶粒2 ?1 ?2 GB in Si * * 小角度晶界位错模型：相当于一系列刃位错 对称倾斜晶界： θ1＝θ2 ； 一系列平行等距刃位错 同号位错间距：D； 晶界角： θ； 柏氏：b； b D θ * * 陶瓷生产中，常利用晶界处杂质富集现象，人为掺杂，使其分布于晶界上，以改善陶瓷材料性能 总之，晶界对材料性能影响显著，可以利用晶界效应设计材料、改进材料达到人类目的 * * 三 相界 相指物理、化学性质均一的体系 相界为相体系之间的分界面 晶粒细化、晶界变小有利于提高材料强度；类似的，相界面减小也有利于提高材料物理力学性能 如：生物材料： 金属＋陶瓷复合假肢 陶瓷＋聚合物复合材料 * * 相界面两侧由于各相化学组成、结构差异比单相多晶体间差异大许多，故相界面上，界面应力显著 复合材料通过不同基体材料相互复合，可以达到性能彼此互补，性能优于单一组元材料性能 复合材料设计即需避免产生过大界面应力 (功能梯度复合材料） * * 功能梯度多相复合材料 Functional-Gradient Materials Reinforced by Nanoparticles Hard alloyed pressforms and shock-resistant ceramic segments on the basis of titan carbide and diboride A functional gradient; 100% steel at the outside to 30%