第2讲-变频器原理及应用祥解.ppt

《变频器原理与应用（第2版）》第2章 * 2. 全桥逆变电路 电路原理如图3-15a所示。直流电压Ud接有大电容C，电路中的四个桥臂，桥臂1、4和桥臂2、3组成两对，工作时，设t2时刻之前V1、V4导通，负载上的电压极性为左正右负，负载电流io由左向右。t2时刻给V1、V4关断信号，给V2、V3导通信号，则V1、V4关断，但感性负载中的电流io方向不能突变，于是VD2、VD3导通续流，负载两端电压的极性为右正左负。当t3时刻io降至零时，VD2-、VD3截止，V2、V3导通，io开始反向。同样在t4时刻给V2、V3关断信号，给V1、V4导通信号后，V2、V3关断，io方向不能突变，由VD1、VD4导通续流。t5时刻io降至零时，VD1、VD4截止，V1、V4导通，io反向，如此反复循环，两对交替各导通180°。其输出电压uO和负载电流iO见图3-15b 所示。 a) 全桥逆变电路 b) 工作波形 《变频器原理与应用（第2版）》第2章 * 练习题 什么是电压型和电流型逆变器？各有何特点？ 人有了知识，就会具备各种分析能力， 明辨是非的能力。 所以我们要勤恳读书，广泛阅读， 古人说“书中自有黄金屋。 ”通过阅读科技书籍，我们能丰富知识， 培养逻辑思维能力； 通过阅读文学作品，我们能提高文学鉴赏水平， 培养文学情趣； 通过阅读报刊，我们能增长见识，扩大自己的知识面。 有许多书籍还能培养我们的道德情操， 给我们巨大的精神力量， 鼓舞我们前进。 * * 《变频器原理与应用（第2版）》第2章 * 2.4 电力晶体管（GTR） 2.4.1 GTR的结构 工作状态： GTR作为开关器件 图2-14 GTR 摸块 a) GTR的结构示意图 b)GTR摸块的外形　c) GTR摸块的等效电路 《变频器原理与应用（第2版）》第2章 * 2.4.2 GTR的参数 (1) 反向击穿电压UCEO：既基极开路CE间能承受的电压。 (2) 最大电流额定值ICM ： (3) 最大功耗额定值PCM晶体管功耗的大小主要由集电结工作电压和工作电流的乘积来决定，它将转化为热能使晶体管升温，晶体管会因温度过高而烧坏。 （4）开通时间ton：包括延迟时间td和上升时间tr。 （5）关断时间ｔoff：包括存储时间ｔs和下降时间ｔf 。 《变频器原理与应用（第2版）》第2章 * 2.4.3 二次击穿现象 当集电极电压UCE逐渐增加，到达某一数值时，如上述UCEO，IC剧增加，出现击穿现象。首先出现的击穿现象称为一次击穿，这种击穿是正常的雪崩击穿。这一击穿可用外接串联电阻的办法加以控制，只要适当限制晶体管的电流(或功耗)，流过结的反向电流不会太大，进入击穿区的时间不长，一次击穿具有可逆性，一般不会引起晶体管的特性变坏。 但是，一次击穿出现后若继续增大偏压UCE，而外接限流电阻又不变，反向电流IC将继续增大，此时若GTR仍在工作，GTR的工作状态将迅速出现大电流，并在极短的时间内，使器件内出现明显的电流集中和过热点。电流急剧增长，此现象便称为二次击穿。一旦发生二次击穿，轻者使GTR电压降低、特性变差，重者使集电结和发射结熔通，使晶体管受到永久性损坏。 《变频器原理与应用（第2版）》第2章 * 2.4.4 GTR的驱动电路 抗饱和恒流驱动电路 图2-16 抗饱和恒流驱动电路 抗饱和二极管 《变频器原理与应用（第2版）》第2章 * 2.4.5 GTR的缓冲电路 缓冲电路也称为吸收电路，它是指在GTR电极上附加的电路，通常由电阻、电容、电感及二极管组成，如图2-17所示为缓冲电路之一。 图2-17 GTR的缓冲电路 《变频器原理与应用（第2版）》第2章 * 2.5 功率场效应晶体管（P-MOSFET） 2.5.1 功率场效应管的结构 a) b) 图2-18 P-MOSFET的结构与符号 a) P-MOSFET的结构 b) P-MOSFET符号