第5章振幅调制解调与混频祥解.ppt

二、副波道干扰（寄生通道干扰） 概念 外来干扰信号fn（或其n次谐波）与本振信号频率fL的m次谐波产生符合式| pfL±qfn|=fI 时，形成变频干扰。 表现为串台、哨叫声。 分类： 中频干扰（一阶干扰） 镜频干扰（二阶干扰） 组合副波道干扰 最强的两种干扰 ⒈ 中频干扰 当p=0、q=1时， fN=fI ⒉ 镜像干扰 当p=1、q=1时， fN= fL+fI 　而 fc= fL—fI， 即干扰信号fN 与载频信号fc形成镜像关系。 ２）副波道干扰| ±pfL±qfN|=fI  中频干扰（一阶干扰）的抑制方法： 提高前端电路的选择性，增强对中频信号的抑制，如设置中频陷波器； 合理选择中频数值，中频选在工作波段之外，如采用高中频方式。 L p=1，q=1， fN= fL+fI = fc+2fI 抑制方法： 提高变频器前端电路的选择性，提高中频频率，以降低加到变频器输入端的镜像电压值。 可采用高中频方案。 例： 信号频率 fc = 580kHz，接收机中频 fI = 465kHz。 当一个 fN = 1510 kHz 的干扰信号也作用在变频器的输入端时，将形成镜像干扰 fN–fc = (1510-580) kHz = 930 kHz = 2 fI，因此可以同时听到两个电台的声音。 2、镜像干扰（二阶干扰） N C 3、组合副波道干扰| ±pfL±qfN|=fI  抑制方法： 提高前端电路的选择性和提高中频数值； 选择合适的变频电路； 合理地选择变频管的工作状态。 例：信号频率fc=660kHz，fL=1125kHz，fI=465kHz 对应的p=q=2的组合干扰频率为 fN1=(2×1125+465)/2kHz=1357.5kHz； fN2=(2×1125-465)/2kHz=902.5kHz 对应的m=n=3的组合干扰频率为 fN1=(3×1125+465)/3kHz=1280kHz； fN2=(3×1125-465)/3kHz=970kHz 等等。这些分量都可能被转换成中频频率而形成干扰。 p≥1，q1， 3.交调干扰 概念： 一个已调的强干扰信号与有用信号fc（已调波或载波）同时作用于接收机输入端时，由混频管的非线性——三次项和更高次项形成的干扰。 与本振无关。 任何频率的强干扰都可能形成交调，但干扰信号频率与有用信号频率相差越大，受前端电路的抑制越彻底，形成的干扰越弱。 表现： 同时听到质量很差的有用信号和干扰电台的声音。 抑制措施： 提高前端电路的选择性，降低加到变频电路输入端的干扰信号值； 选择合适的工作状态及合适的器件（如平方律器件），减少不需要的非线性项。 4.互 调 干 扰 概念： 两个或多个干扰电压同时作用在接收机高频放大级或变频级的输入端时，由于器件的非线性，相互混频产生接近有用信号频率的互调干扰分量，并与有用信号一起进入接收机中频系统，形成干扰。 ± p fL±mfn1±nfn2=±fI或mfn1±nfn2=±fc 二阶互调干扰：fn1±fn2=±fc 三阶互调干扰：2fn1±fn2=±fc 表现： 哨叫声和杂乱的干扰声而没有信号的声音，此现象通常称阻塞。 抑制措施： 同前 四、综合结论 变频级产生的各种干扰都和干扰的电压大小有关 ——提高变频级前面电路的选择性 由于晶体管非线性而产生的组合频率干扰与输入信号电压大小有关，因此变频级输入端的信号电平不宜过大；但从输入信噪比的角度，信号电平要尽可能高 ——设计时全面考虑 变频器本身产生失真和干扰的原因是晶体管特性曲线中存在三次和更高次非线性项 ——适当调整变频器的工作状态，使其工作在接近平方律 区域； 采用转移特性是平方律的变频器（如场效应管和模拟 乘法器） 若接收某信号时听到哨声，通常是由于信号与本振的不同频率的组合而形成的接近中频的信号，该信号在检波电路中与中频信号差拍出单一频率的哨叫声。考虑是组合频率干扰。 若听到的是某个干扰电台，则应该考虑是副波道干扰。 若听到的是同时几个干扰电台，则应该考虑是互调干扰。 分析: 人有了知识，就会具备各种分析能力， 明辨是非的能力。 所以我们要勤恳读书，广泛阅读， 古人说“书中自有黄金屋。 ”通过阅读科技书籍，我们能丰富知识， 培养逻辑思维能力； 通过阅读文学作品，我们能提高文学鉴赏水平， 培养文学情趣； 通过阅读报刊，我们能增长见识，扩大自己的知识面。 有许多书籍还能培养我们的道德情操， 给我们巨大的精神力量， 鼓舞我们前进。 * 超外差接收机的关键部件 在一些发射设备（如单边带通信机）中必不可少 在频分多址（FDMA）信号的合成、微波接力通信、卫星通信等系统中有重要地位； 是许多电子设备、测量仪器（如频率合成器、频谱分析仪）的重要组成部分。