超大规模集成电路期终总复习祥解.ppt

重点章节：第3、4、5、6章占90% 非重点章节：第1、2章占10% 期末总成绩分布： * * 第三章 器件设计技术 本节重点： 1.半导体表面场效应。 2.Mos晶体管的工作原理。 3.NMOS管的电流—电压特性。 4.CMOS反相器结构及工作原理。 1.什么是MOS管的阈值电压？ 2.要BJT起电流放大作用，对其制作的要求是？ 3.IE＝IB＋IC;分别说明IE、IB、IC是由载流子的什么运动形成的？ 4.试描述MOS管工作原理，（以NMOS为例）。 5.影响MOS管Ids大小的因素有哪些？ 6.MOS管栅下载流子的平均传输时间?与沟道长度的关系？ 7.当VdsVgs-Vtn时，继续增大Vds，沟道电阻如何变化？ 8.会判断MOS管的工作状态。 9.按负载元件分，反相器可以分成几类？ 10.当输入为低电平时，哪一种反相器的输出具有阈值损耗。 11.噪声容限的概念。 12.什么是有比反相器？ 13.画出CMOS反相器电路图？描述其原理 14.当输入Vo+Vtp≤Vi≤Vo+Vtn时，CMOS中的NMOS和PMOS分别工作在什么状态？ 15.为了使CMOS反相器具有良好的噪声容限，在设计时对Vt的要求？为了满足这一要求，PMOS和NMOS工艺上应如何设计？ 16.描述CMOS反相器的优点？ * * 第四章 电路参数及性能 * * 本章重点： MOS晶体管的参数 MOS器件的二阶效应（补） 信号传输延迟（门延迟） 1.阈值电压受哪些因素的影响？ 2.由于衬偏效应的存在会使阈值电压如何变化？ 3.什么是沟道长度调制效应？ 4.形成源漏截止电流的原因有哪些？ 5.防止寄生MOS管的措施有哪些？ 6.试比较线性区和饱和区中，mos管直流导通电阻的大小？ 7.由于输入阻抗高而使MOS管具有特性有？ 8.为了防止MOS管栅氧化层被击穿，在芯片设计时会连接输入保护电路，试画出其电路图。 9.什么情况需考虑二阶效应？ 10.MOSFET存在哪些二阶效应？ 11.考虑二阶效应，实际的栅极长度相对于版图设计的L是增大还是减小？由哪两方面工艺因素使之发生了变化？ 12.在二阶效应中，场区生长厚场氧会使W如何变化？ 13.迁移率主要受哪三个因素的影响？ 14.对于高性能器件而言，为什么说P型和N型管性能差不多？ 15.衡量数字电路的主要性能指标有？ 16.什么是CMOS的本征延迟？ 17.构成CMOS本征延迟的负载电容主要由什么构成？ 18.如何降低CMOS的延时？ 19.CMOS的下降时间对应着充电还是放电过程？此时是哪个管子工作？ 20.CMOS动态功耗和静态功耗的组成部分？ 21.Latch-up效应产生的原因及防止措施。 第五章 逻辑设计技术 * 本章重点： 1.MOS管的串并联特性； 2.静态CMOS逻辑电路设计； 3.MOS传输门特性； 4.可编程逻辑器件PLA； 1.用CMOS实现任意组合逻辑电路，并会讨论其上升和下降延迟情况。 2.会利用传输门实现数据选择器或多功能发生器； 3.CMOS传输门传输高低电平时，讨论N管和P管的工作状态； 4.会利用CMOS传输门实现异或及同或门； 5.会利用PLA实现任意组合逻辑； 第六章 本章重点： 1.先行进位加法器； 2.同步上下计数器； 3.存储器； 4.I/O电路； 1.ROM有哪些种类？各有何特点？ 2.若存储器的容量为512×8位。则地址代码应取几位？画出其存储矩阵及对应的行列译码器。若输入的地址为101001011，应选中哪个存储单元？ 3.ROM和RAM的主要区别是什么？ 4. i/o PAD在集成电路中的主要功能？ 5. 输入单元为什么需要增加输入保护电路？ 6. 试画出双二极管保护电路，其对MOS管栅极电压钳位范围是？ 7. 直接利用TTL驱动CMOS管可以吗？为什么？ 8. 输出单元若要获得大的驱动能力应当采用什么方法？ * * 在每一位元中使用一个加法器和一个D触发器。此计数器的操作速度是决定涟波进位所需要的时间。可以采用任何先行进位技术加以改进，以提高其速度。 同步上/下计数器 人有了知识，就会具备各种分析能力， 明辨是非的能力。 所以我们要勤恳读书，广泛阅读， 古人说“书中自有黄金屋。 ”通过阅读科技书籍，我们能丰富知识， 培养逻辑思维能力； 通过阅读文学作品，我们能提高文学鉴赏水平， 培养文学情趣； 通过阅读报刊，我们能增长见识，扩大自己的知识面。 有许多书籍还能培养我们的道德情操， 给我们巨大的精神力量， 鼓舞我们前进。 * *