二氧化碲一维纳米结构气敏性能的分析.pdfVIP

摘要 Te02作为宽禁带的P型半导体材料，对氧化还原性气体具有极 高的灵敏度，在气敏传感方面展现了优越的性能。本文在室温下对 Te02准一维纳米结构的气敏性能进行了深入的研究。 以纯净的Te粉为原料，以镀有2纳米金膜的硅片作为衬底，采 用化学气相沉积法制备出Te02准一维纳米结构。采用XRD，SEM 表征Te02准一维纳米结构的相组成以及微观结构。结果表明，Te02 纳米线具有四方相晶体结构，长度约为几十微米，直径约为50200 照气一固机制进行生长。 利用金属丝掩膜法，构筑了基于单根TeOz准一维纳米结构的“金 属／TeOz准一维纳米结构／金属”电阻型气敏传感器件。室温下测试了 传感器件在不同环境(空气、真空、H2S)下的电输运性能，探讨了 气体吸附对器件电导率的影响。在大气中，由于氧分子的吸附，增加 了空穴浓度，器件的电导增强，而在强还原性硫化氢气体中，器件电 导减少。同时发现器件具有忆阻效应，空气中氧空位浓度的增加增强 了忆阻效应，硫化氢中多数载流子空穴的减少抑制了忆阻效应，证实 了忆阻机理：氧空位在电场的作用下发生迁移，改变了接触势垒宽度， 增强电子隧穿几率，从而改变电导，导致忆阻现象。 研究表明，在室温下二氧化碲准一维纳米结构对氧化还原性气体 具有极高的灵敏度。为实现低功耗，室温工作的高性能气敏传感器提 T 万方数据 供了气敏元件基础。 关键词：TeO：纳米线；气敏传感；电输运性能；硫化氢；忆阻器 万方数据 ABSTRACT isa semiconductor hasawideband Te02p-type material，which is sensitivetoredoxandshows in gap．Ithi曲ly gas superiorperformance the of sensitivesensor．Inthisthesis delveinto aspectgas dissertation，we at the of nanowiresroom Te02 properties temperature． gas—sensitive nanowireswere onAu-coatedSi substrate Te02 synthesized by chemical Te asthesourcematerial．The depositionusingpowder vapor nanowiresasthe material． sensorwas Te02 gas preparedbyusing sensing characterizationmeansofXRDandSEMshowsthat Microstructure by are of structu