电针对局灶性脑血再灌注大鼠脑内vegf及ang-1的影响.pdf

中文摘要 目的： Di Vascular 脑血管疾病(Cerebral sease，CVD)是危害人类生命与 健康的常见病和多发病，其发病率、死亡率及致残率均高。脑组织对缺血 特别敏感，缺血后，中心区域缺血数分钟内神经元可出现不可逆损害；而 周围区带的脑组织有侧支循环支持，迅速恰当治疗后可以挽救，被称为“缺 血半暗带(Ischemicpenumbra，．IP)’’，该脑组织区缺血后丧失电活动， 但能维持膜电压和跨膜电位，是早期脑卒中治疗的病理学基础。改善半暗 带区脑组织的血管新生和侧枝血管形成，及时恢复半暗带区域的血液供 应，挽救保护半暗带可逆的神经元，成为治疗缺血性脑血管病的重要手段 endothelial 和目的之一。血管内皮生长因子(vascular growth factor，VEGF)被认为是作用最强、特异性最高的成血管因子；血管生成素 et (angiopoiin，Ang)是第—鼍介被确定的具有促血管生成作用的细胞因 子。针灸是临床治疗缺血性脑血管病的有效手段，已有研究证实，针灸可 促进脑缺血区血管新生，增加微血管密度，但其作用机制尚待进一步深入 研究。 本实验采用局灶性脑缺血再灌注模型大鼠，电针“百会”、“水沟’’、 “后三里’’穴，观察电针对脑缺血再灌注大鼠病灶侧(右侧)大脑海马中 机制，从而进一步深入研究针灸治疗缺血性脑血管病的作用机制，为针灸 临床治疗缺血性脑血管病提供一定的实验依据。 方法： 健康成年SD大鼠80只，雌雄不拘，随机分为正常对照组、假手术组、 2h、 模型组、电针组；其中，模型组、电针组分别按缺血再灌注后不同时间(1 ld、2d)，分为A、B、C三个亚组。采用改良线栓法制备大鼠局灶性脑缺 进行动物筛选。电针“百会、 “水沟”、 “后三里’’穴，免疫组织化学 结果： 均呈低表达或无表达；两组比较无明显差异(PO．05)。 明显增强，具有显著性差异(PO．05)。 与CD34微血管数目表达有一定的相关性。 4．电针组与模型组相比较，VEGF表达增强，除电针C组与模型C组 比较(PO．05)，无显著性差异外，其余各对应时相组相比较，均具有显著 著性差异(P0．05)；CD34微血管表达增加，各对应时相组相比较，无明 显差异性。 结论： 数目无明显影响。 2．缺血、缺氧促使VEGF、Ang-1表达及CD34微血管表达。 表达的高峰。 4·电针能促进脑缺血再灌注大鼠脑内血管内皮细胞VEGF、Ang一1的 表达。 ． 5．电针能促进脑缺血再灌注大鼠脑内海马区微血管数目增加。 主题词 电针；血管内皮生长因子；血管生成素；脑缺血再灌注 EffectsofeI on i onofvascuI ar ectroacupunctureexpress 结果： 均呈低表达或无表达；两组比较无明显差异(PO．05)。 明显增强，具有显著性差异(PO．05)。 与CD34微血管数目表达有一定的相关性。 4．电针组与模型组相比较，VEGF表达增强，除电针C组与模型C组 比较(PO．05)，无显著性差异外，其余各对应时相组相比较，均具有显著 著性差异(P0．05)；CD34微血管表达增加，各对应时相组相比较，无明 显差异性。 结论： 数目无明显影响。 2．缺血、缺氧促使VEGF、Ang-1表达及CD34微血管表达。 表达的高峰。 4·电针能促进脑缺血再灌注大鼠脑内血管内皮细胞VEGF、Ang一1的 表达。 ． 5．电针能促进脑缺血再灌注大鼠脑内海马区微血管数目增加。 主题词 电针；血管内皮生长因子；血管生成素；脑缺血再灌注 Ef