光伏电池及其组件的减反膜综合优化.docVIP

晶体硅光伏电池和组件的减反膜综合优化 上海君威新能源装备有限公司 夏世伟 2011-5-2 摘要：本文通过理论分析和实验验证，详细分析了太阳能电池和光伏组件的减反膜系统，建立了减反膜系统的综合评价体系，同时提出了减反膜系统的优化设计方法，初步探讨了优化减反膜系统的产业化实现方法。 关键词：太阳能电池 光伏组件 减反膜 多层减反膜 镀膜工艺 M-SioNAR 前言 在地面用太阳能电池及其组件的制备工艺中，减反膜对于太阳能电池的光电转换效率起着非常重要的作用。理论和实践证实，适当的减反膜系统，能够使太阳能电池及其组件的效率提高3~5%。在当前应用于大规模晶硅电池的生产工艺中，减反效果通过两个工艺技术实现，分别为表面制绒技术和SiN减反膜技术。其中，制绒技术利用光线的多次折返原理，提高电池对光辐照的吸收，可以使电池表面的反射率降低约3%；而减反膜技术利用光学衍射原理，使电池的反射率进一步大幅降低约15%，这对太阳能电池转换效率的提高起着至关重要的作用。尽管目前的PECVD SiN薄膜工艺已经以成熟工艺的姿态，大规模应用于生产工艺中，减反膜的优化设计尚有可观的潜力可以挖掘。 晶硅电池及其组件结构简述 晶硅电池组件的基本结构 基于晶体硅电池（包括单晶硅电池和多晶硅电池）的光伏组件由背面玻璃或背膜、背面EVA、电池片、正面EVA、正面玻璃组成，如图1所示。 图1 晶体硅电池组件的基本结构 其中，背面玻璃或背膜及EVA仅作保护之用，正面EVA兼具减反作用，正面玻璃镀上减反膜以后，可以进一步降低组件的反射率。 而电池片中，绒面和减反膜对反射率的降低起到关键的作用。 电池片减反膜的常规制备工艺 常规晶体硅电池片制造工艺中，均采用SiN薄膜作为减反膜。鉴于SiN薄膜具有优越的光学特性和电学特性，与Si衬底的折射率相匹配，同时与Si器件的制造工艺兼容，易于实现大规模的产业化制备，已经成为晶体硅太阳能电池制造工艺的不二选择。 Si材料的折射率为3.3~6.0，SiN薄膜的折射率为1.95~2.2，二者具有很好的匹配性。控制合理的折射率和薄膜厚度，可以使反射率降低约15%。现有成熟工艺中，一般选用折射率为2.0，厚度为85nm。 目前，均使用PECVD工艺方法制备SiN薄膜。该工艺方法利用SiH4和NH3气体在真空环境下，经射频电磁场激发的等离子体氛围中进行化学气相反应，生成SiN固体沉积到电池片表面，形成SiN薄膜。PECVD工艺为一种低温工艺，SiN薄膜的沉积温度一般为250℃~400℃，与电池制造的其他工艺相兼容。通过调整沉积过程的气氛压力、衬底温度、气体流量及其比例、电磁场功率等多种工艺条件，可以调节SiN薄膜的组分比例、致密性、膜层应力和折射率等薄膜特性，从而获得最优的镀膜参数。 减反膜系统的评价方法 使用光学薄膜实现的减反效果，均有一个最佳光谱范围。对晶体硅太阳能电池而言，其光电响应的有效光谱范围为350nm~1100nm，其量子效应的峰值处于~900nm，如图2所示。 图2 单晶硅太阳能电池光谱响应曲线 而对于太阳光而言，地面辐射一般采用AM1.5G标准，其辐照度峰值位于500nm，如图3所示。 图3 AM1.5G太阳光光谱曲线 因而，对于太阳能电池减反系统的评价，必须综合考虑电池的光谱响应和太阳光的光谱分布。一种有效地方法被称为加权积分法。其权重曲线如图4所示。 图4 太阳能电池对太阳光的光谱响应权重曲线 由图4可见，太阳能电池对太阳光的吸收转换能量主要集中于500nm~920nm之间，其峰值位于650nm~800nm，呈平顶态势。减反系统的设计所需要关注的光谱范围，首先在上述波段范围内，500nm以下及920nm以上，相对影响较小。 电池片减反膜系统的分析和优化 单层减反膜系统 目前应用于地面太阳能电池大规模生产工艺中的减反膜，几乎全部采用PECVD SiN薄膜。所使用的SiN薄膜折射率控制在2.0左右，厚度为80~85nm。上面已经提到，对于PECVD SiN镀膜工艺，改变工艺参数可以调整薄膜的折射率。图5、图6显示了几种不同折射率SiN薄膜的反射率曲线及其加权响应曲线。 图5 单层SiN减反膜反射率曲线 图6 单层SiN减反膜加权响应曲线 从图5可以观察到，较低的折射率对降低反射率有利。尽管在图6的加权响应曲线中，很难区分几种膜系的优劣，但是加权积分数可以显示相同的趋势，如表1所示。 表1 单层SiN减反膜系统光谱响应加权积分数 减反膜 n2.0x82nm n2.1x80nm n2.2x76nm 加权积分数 84.04 83.71 83.08 减反膜 ZnS/SiO SiN/SiO 加权积分数 86.83 86.16 图7 双层减反膜反射率曲线 图8 双层减反膜加权响应曲线 由图7、图8和表2所示，双层减反膜体系对