第5章金属及合金的强化方法详解.ppt

金属力学性能 第5章 金属及合金的强化方法 本章内容 5.1 强化的概念和途径 5.2 晶粒细化强化 5.3 固溶强化 5.4 第二相强化 5.5 加工硬化 5.1强化的概念和途径 金属失效方式——过量弹性变形；过量塑性变形；断裂 金属塑性变形方式——位错滑移 提高位错运动阻力——强化金属 金属的强化仅仅是指提高金属的屈服强度。 为什么不去提高金属的断裂强度？ 材料的构成 1）基体相 2）界面：包括相界面和晶界 3）第二相 举例： 1）Al－4.5Cu合金，基体Al，第二相CuAl2， 2）SiC/Al复合材料，基体Al，SiC为外加的第二相 金属强化途径： 内因： 界面（晶界）——细晶强化 溶质原子——固溶强化 第二相——第二相强化 提高位错密度——加工硬化 外因：温度提高，位错运动容易，σs↓ 应变速率提高，σs↑ 应力状态: 切应力分量τ↑，σs↓ 特殊应力状态：平面应力和平面应变状态 5.2 晶粒细化强化 晶粒：正常晶粒和亚晶粒 亚晶粒的形成原因？ 晶界：大角晶界（位向差大于10度）和小角晶界（位向差小于10度） 晶界两侧晶体存在位向差：造成晶界强化的主要原因。晶界是位错运动的障碍。要使相邻晶粒中的位错源开动，必须加大外应力。（但高温下晶界为材料中的弱化区域，不起强化作用） 晶界是位错运动的障碍 原因？ 滑移的临界分切应力 τ=(P/A)cosφcosλ φ—外应力与滑移面法线夹角； λ—外应力与滑移方向的夹角； Ω= cosφcosλ称为取向因子。 因为各晶粒的取向不同，cosφcosλ不同 室温下位错在晶体内的运动过程： ——位错运动到晶界后消失于晶界，或受到晶界阻碍形成位错塞积 ——晶体再继续变形需要相邻晶粒内位错开动 ——相邻晶粒内位错开动需要更大的应力 ——需要外加应力提高，即屈服强度提高 什么是屈服强度 1）在应力1作用下，晶粒A内 位错运动到晶界后受阻 2）晶粒B内的位错需要开动， 需要更大的外加应力 3）外加应力增加，达到应力2，使得B晶粒内位错开动 4）B晶粒内位错运动到晶界后，在应力2的作用下，相邻的C晶粒内位错也能开动 4）位错运动能够从晶粒A、B、C。。。传递下去 5）由于晶界的作用，应力从1增大到2，表现为晶界对材料的强化作用 6）这种能够使位错在不同晶粒间传递下去的应力（应力2）就是材料的屈服强度 屈服强度是位错能够在 晶粒间传递下去所需要的应力！！ 举例：复合材料的屈服强度 按照上面的思路建立晶界与位错运动的模型，如下图 位错塞积群形成的方式（F-R位错源） Hall－Petch公式发现过程 发现于上世纪50年代，发现人Hall和Petch都是英国剑桥大学研究生，Hall在论文中对钢的屈服强度与晶粒尺寸关系进行了试验研究；Petch采用位错塞积群理论进行了理论分析。 材料科学中为数不多的定量描述公式之一 纳米材料中的Hall－Petch关系 Hall－Petch公式本质 1）晶界两侧晶体存在取向差——位错滑移从晶粒A传递到晶粒B需要额外的应力——该应力由晶粒A中形成的位错塞积群提供 2）位错塞积群提供的附加应力与塞积群中位错个数有关——塞积群中能够容纳的位错个数又决定于晶粒尺寸D 3）晶粒尺寸越小，塞积群中位错个数越少——需要更大的外加应力——造成屈服强度提高 5.3 固溶强化 固溶：外来原子溶入金属 种类：间隙固溶；置换固溶 间隙式固溶：固溶原子都大于间隙尺寸，即使最小的C、N作为固溶原子也是如此 ——间隙固溶都导致固溶原子周围出现压应力区域 置换式固溶： 固溶原子大于溶剂金属原子 ——造成压应力区； 固溶原子小于溶剂金属原子 ——造成拉应力区； 金属中固溶后产生以下几种作用： 1）固溶原子与位错应力区之间的交互作用（间隙原子都处于位错拉应力区；大固溶原子处于位错拉应力区；小固溶原子处于压应力区）——位错运动阻力增大，导致强化 2）电子相互作用：溶质原子 与附近溶剂原子之间的电子 相互作用，导致位错穿越该 区域需要更大的能量 ——导致强化 3）化学相互作用：如fcc中的层错是一种hcp结构，溶质原子在fcc和hcp中的溶解度不同，在hcp结构的层错中溶解度高——层错难以运动，导致强化 4）增加扩展位错宽度——层错扩展宽度受到溶解在层错中的溶质原子的影响——层错宽度影响层错的可动性（越宽，层错越难以运动） 5）短程有序强化 A-A 3 低 B-B 4 低 A-B 4 高 A-A 2 低 B-B 3 低 A-B 6 高 丛聚状态 A－B能量A－A/B－B 丛聚越紧密，能量 越小（6）； 紧密丛聚状态破坏