第二章电阻应变片及测量电路要点.pptVIP

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第二章电阻应变片及测量电路要点.ppt

2.1 电阻应变片及测量电路;;电测法 包括电阻、电容、电感测试法 电阻法较常用,具有高灵敏度和精度。因是电信号测量,易于实现数字化、自动化;可用于不同环境下的测量;成本低廉。缺点是只能点测量固定方向应变,不能全域测量。 光测法 -包括光弹性、全息干涉、激光散斑干涉、云纹法等 将受力构件做成模型,置于光场中,测定模型应力值。由相似原理换算出实际应力 光弹性法应用广泛,是利用偏振光通过具有双折射效应的透明受力模型从而获得干涉条纹图,可观察全域应力分布情况;快速测定应力集中系数;内外部边界应力测量。但周期长、成本高。;机械测试法 -利用引伸仪测定试件变形需经过放大。有杠杆式和齿轮式两种。;电阻应变片的发展与应用;-1953年.P·杰克逊利用光刻技术,首次制成了箔式应变片,随着微光刻技术的进展,这种应变计的栅长可短至0.178mm -1954年.史密斯发现半导体材料具有的压阻效应。 -1957年,W.P.Mason,等研制出半导体应变片,其灵敏系数比金属丝应变片高50倍,现已用于不同环境、条件下各种类型的电阻应变片,还有用于测量残余应力和应力集中等的特殊应变片 -60年代,出现了采用直流放大器的电阻应变仪。 ; 近来,朝着数字化、自动化方向发展,现已有数字式测量动、静态数据采集处理系统。目前,各种不同规格、不同品种的电阻应变片已有二万多种。 -电阻测量技术可分为静态应变测量和动态应变测量两类。 -恒定的载荷或短时稳定的载荷的测量,称为静态测量; -对载荷在2-1200Hz范围内变化的测量,称为动态测量。 -不同的工作温度对电阻应变片和导线等有不同的要求,一般将应变测量按工作温度分为五个区段: 超低温应变测量: -l00℃ 低温应变测量: -30-l00℃ 常温应变测量: 30一60℃ 中温应变测量: 60一300℃ 高温应变测量: 300℃ ; 应变片的构造; 铜镍合金因为其灵敏系数稳定,工作应变范围广,电阻率高,温度系数低,易加工的特点而广泛使用。; 基底; 粘结层; 应变片的种类和特点; 应变花; 半导体应变片;电阻测量应变原理及方法;应变片的工???原理 因绝大部分金属丝受到拉伸或缩短时,电阻值会增大(或减小),这种电阻值随形变发生变化的现象,叫做电阻应变效应. 电阻应变片就是基于金属导体的电阻应变效应制成的。 ;;当电阻丝受到拉伸、压缩时有下式存在;;半导体应变片 工作原理:压阻效应 压阻效应:半导体材料的电阻率随作用应力而变化。所有材料在某种程度上都具有压阻效应,但半导体的这种效应特别显著,能直接反映出很微小的应变。根据压阻效应,半导体和金属丝一样可以把应变转换成电阻的变化。 ; 半导体应变片受纵向力作用时,电阻相对变化可用下式表示; 式中, ?为半导体材料的压阻系数,它与半导体材料种类及应力方向与晶轴方向之间的夹角有关。 ; 实验表明:?E比(1+2?)大近百倍,故(1+2?)可忽略,故半导体应变片的灵敏系数为:;电阻应变片常温工作特性;电阻应变片常温工作特性;电阻应变片常温工作特性;电阻值下限: 单用一根金属丝作为敏感元件来测量应变,在理论上是可能的。然而,为了防止电源超载,并使金属丝中电流所产生的热量不过大,金属丝的电阻值不能太小,对金属丝的阻值给定一个下限:约为100Ω。;应变极限 应变片在一定温度下测量的应变范围是有限的,这个限度就称为应变片的应变极限。 应变片测量最大应变量和基底和粘结剂的材料密切相关 ε1.5%时,基底和敏感栅之间容易滑脱 ε1.5%时, 与ε才能保持线性关系 ε=0.5% 由于滞后带来的误差可以高达百分之几,这是不允许的 通常测量应变范围 0.2%~0.3% 应变片测量的最小应变取决于应变片的敏感系数、仪器敏感度以及仪器抗干扰信号的能力。 目前可以测量的最小电阻变化率为10-7。;温度效应: 当电阻应变片安装在无外力作用、无约束的构件表面上时,在温度变化的情况下,它的电阻会发生变化的现象,称为电阻应变片的温度效应。 ---温度变化时,应变片敏感栅材料的电阻会发生变化,并且,应变片和构件都会因温度变化而产生变形,从而使应变片的电阻值随温度变化而变化。这种温度效应将影响电阻应变片测量构件表面应变的准确性。通常,将温度效应产生的应变片的电阻相对变化所对应的应变量,称为热输出。;电阻应变片的温度误差及补偿 ;将温度变化?t时的电阻变化折合成应变,则:;电阻应变片常温工作特性;电阻应变片常温工作特性; 如β丝≠β试,则Δlt1≠Δlt2,由于应变丝与试件是粘结在一起

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