器件失效分析——日文版.pdf

4. 半導体デバイスの故障メカニズム 信頼性試験とは、実使用状態における故障の再現試験であり、この結果とあわせて故障メカニズムを明らかに することが、実使用状態での製品の信頼度を把握する上で重要です。すなわち、故障メカニズムを明らかにする ことで、故障発生に対するストレス (温度、湿度、電圧、電流など) の影響が確定でき、加速状態で実施している 信頼性試験の結果から実使用状態での信頼度が推定できます。また、信頼性上の弱点を設計、製造面から改善し 信頼性・品質の向上を図るとともに、お客様への使用上の注意点を明確にすることが可能になります。また、市 場で不具合が生じた場合でも、その故障メカニズムを知ることにより、設計、製造面での是正を的確かつ迅速に 行うことができ、故障の再発防止につなげることが可能となります。 本章では、実際の故障について、主要な故障メカニズムについて説明します。 4.1 故障の分類 半導体デバイスの信頼性を扱う場合、統計的方法のほかに故障を物理的観点から取り扱う方法があります。こ れは故障物理と呼ばれ、故障の物理的性質を原子、分子レベルにまでさかのぼって解明し、故障のメカニズムを 明らかにしようとするものです。半導体デバイスの故障モードは開放、短絡、劣化、その他に大別されますが、 これらの故障モードと故障メカニズムの関係を故障に関連する要素ごとに整理すると表 4.1 のようになります。 Rev.1.00 2006.06.12 4-1 RJJ27L0001-0100 4. 半導体デバイスの故障メカニズム 表 4.1 各要素と故障メカニズム、モード 故障に関連する要素 故障メカニズム 故障モード 事例 拡散、接合 基板 結晶欠陥、不純物折出、 耐圧劣化、 拡散接合 ホトレジマスク不整合、 短絡、 アイソレーション 表面汚染 リーク電流大 酸化膜 ゲート酸化膜 可動イオン、ピンホール、 耐圧劣化、短絡、 図 4.1 フィールド酸化膜 界面準位、 リーク、 TDDB、ホットキャリア hFE 変動、 Vth 変動 メタライゼーション チップ内配線 傷、ボイド、機械的損傷、 開放、 コンタクト 非オーミックコンタクト、 短絡、 スルーホール 段切れ、接着強度不足、 抵抗増大 図 4.2 厚さ不適当、腐食、 エレクトロマイグレーション、 ストレスマイグレーション バッシベーション 表面保護膜 ピンホール、クラック、 耐圧劣化、短絡、 層間絶縁膜 厚さ不均一、汚染、表面反転 リーク電流大、 h V