超导磁通量子比特的制备及Al_AlOx_Al隧道结特性参数.pdfVIP

2014 年 第 59 卷 第 27 期：2728 ~ 2733 《中国科学》杂志社 论 文 SCIENCE CHINA PRESS 超导磁通量子比特的制备及Al/AlO /Al 隧道结特性参数 x * 王林, 许伟伟, 翟计全, 李晓虎, 孙国柱, 吴培亨 南京大学电子科学与工程学院, 南京 210093 * 联系人, E-mail: wwxu@ 2014-03-12 收稿, 2014-05-20 接受, 2014-09-11 网络版发表 国家重点基础研究发展计划(2011CBA00107, 2011CBA00202)、国家自然科学基金、江苏省自然科学基金 (BK2012013)和中国工程物理研究院太赫兹重点实验室基金(CAEPTHZ201206)资助 摘要 超导量子比特作为利用约瑟夫森结实现量子位的方案之一, 具有易集成、易与 关键词 外界耦合等优点. 用双层光刻胶通过深紫外光曝光制备悬空掩膜结构, Al 作为超导材 超导磁通量子比特 Al/AlO /Al 超导隧道结 料, 采用电子束斜蒸发及静态氧化的方法制备了超导磁通量子比特样品. 通过对Al 薄 x 静态氧化 膜厚度与平整度关系分析, 选取60 nm 作为隧道结底层Al 厚度, 增加蒸发源到样品衬 透射电子显微镜分析 底间的距离, 提高了Al 薄膜平整度, 降低了隧道结漏电流. 通过透射电子显微镜分析, 势垒层厚度 观测到Al 隧道结三层结构, 并得到了势垒层厚度和氧分压的关系. 薄膜平整度 漏电比 近年来, 超导量子比特的研究越来越引起国内 结合电子束斜蒸发方法[1], 通过一次光刻制备出含有 广泛关注[1~3]. 超导量子比特电路作为固态电路, 利 Al/AlOx/Al 隧道结的超导磁通量子比特电路, 其工艺 用了超导和基于约瑟夫森隧道结宏观量子特性的数 简单易于操控. 个优势[4] [5] 超导磁通量子比特电路中隧道结的特性参数对 , 根据能态结构主要分为 3 类 : 超导电荷 [6,7] [8] 量子比特 、超导相位量子比特 和超导磁通量子比 成功制备超导磁通量子比特电路有重要影响. 在隧 特[9~12]. 超导磁通量子比特可以用外磁场操控, 对基 道结的制备中, 势垒层的制备最为关键, 势垒层决定 片上随机分布的电荷涨落不敏感, 具有较长的相干 了超导电流密度、势垒能隙电压和漏电流等重要参数. 时间和稳定性. 超导磁通量子比特由含一个[10]或者 制备高质量的铝超导隧道结,