第七章-半导体表面与MIS结构-朱俊-09课件.ppt

VG=0时,理想MIS结构的能带图 在金属和P型半导体间加上电压，则将会在半导体的表面层中产生空间电荷区， （1）VG0 多子空穴的积累 （a）能带向上弯曲，EV接近甚至高过费米能级EFs； （b）多子（空穴） 在半导体表面积累，越接近半导体表面多子浓度越高。堆积的空穴分布在最靠近表面的薄层内。 特征：半导体表面能带平直。 ①表面能带向下弯 曲； ②表面上的多子浓 度比体内少得多， 基本上耗尽，表面 层负电荷基本等于 电离受主杂质浓度。 能带进一步下弯 1）在表面处EF可能高于中间能级Ei，EF离Ec更近； 开启电压VT：使半导体表面达到强反型时加在金属电极上的栅电压就是开启电压. 此时，表面势:VS=2VB VG=Vs+Vo (2) 3、耗尽状态 VG＞0 4、强反型后，即VS＞2VB ：把强反型层时的电容公式代入，得到C/C0 A、低频时： B、高频时： 形成接触电势差： qVms ＝W s － Wm  如何恢复平带状况？ 使能带恢复平直的栅电压 （1）假设在SiO2中距离金属/SiO2的界面x处有一层正电荷 恢复平带的方法： （2）一般情况：正电荷在SiO2中有一定的体分布ρ(x) §7.5 表 面 电 导 及 迁 移 率 1.表面电导 特点： 表面电导的大小应取决于表面层内载 流子的数量及其迁移率。 载流子数量及迁移率越大，表面电导 也越大。 半导体的表面电导也随周围环境变化。 应用： 垂直于表面方向的电场形成的表面势 可控制表面电导－－ MOS场效应管。 由于表面电场的作用，在半导体表面层引起的 附加空穴和电子数（△p 、△n ），其值由表 面势VS 等决定。 多子积累时电导增加；当表面势变化时表面处于 耗尽状态，表面电导较小。如在平带时的表面电 导为 所以： 2. 表面载流子的有效迁移率 载流子的有效迁移率是指其在表面层中的平均迁移率。 由表面层电子贡献的表面电导应为： 设在离表面距离为x处电子的浓度和迁移率分别为 及 ，则该处的电导率为 对整个表面积分 表明在表面存在表面存在与晶格散射相类似的散射机构。 上式除以表面层内电子形成的单位面积电荷Qn的绝对值，则得电子的有效迁移率为 此外还发现，有效迁移率还于温度有关， 主要由于： 在较高的温度下，反型层中电子和空穴的有效迁移率与温度有 的关系。 1、表面电场效应 小 结 表面势及空间电荷区内电荷的分布情况随金属与半 导体间所加电压 而变化。 可归纳为多子积累，耗尽，反型，深耗尽 四种情况，以下以n型半导体为例。 （1）积累状态:金属与半导体间加正电压，表面 势Vs为正值，表面处能带向下弯曲，表面多子－ 电子浓度增加，这样表面层内出现电子堆积。 （2）耗尽状态:金属与半导体间加不太高的负电 压，表面势Vs为负值，表面处能带向上弯曲，越 接近表面，Ec离EF越远，导带中电子浓度越低 ，表面多子耗尽，正电荷浓度近似为电离施主浓 度。 （3）反型状态: 金属和半导体间加负电压,且V0，表面能带向上弯曲，表面处EF低于Ei，空穴浓度超过电子浓度，表面导电类型与体内相反叫反型层。反型层发生在近表面处，从反型层到半导体内部还夹着一层耗尽层。半导体空间电荷层内的正电荷由两部分组成，一部分是耗尽层中已电离的施主正电荷，一部分是反型层中的空穴。 理想MIS结构的C-V特性 1、多子积累时：偏压Vg为负，半导体表面处于堆积状态（以P型半导体） （1）当/Vs/较大时，有C Co 半导体从内部到表面可视为导通状态； C/Co 把式8－35代入 上式中，可得 表面势 为负值！ （2）当/Vs/较小时，有C/Co1。 2、平带状态 Vg=0 Vg=0,对于理想MIS表面势Vs也为0. 特征：归一化电容与衬底掺杂浓度NA和绝缘层厚度do有关。 d0 一定时， NA 越大，则 CFB/C0 越小，因为空间电 荷层随NA 增大而变薄； d0 绝缘层厚度越大， C0越小， CFB/C0 越大。 把 代入 LD 中的pp0 等于掺 杂浓度NA 把 式（8－41） 代入电容公式 关键Vs=? 式8－39 解一元二次方程 化简整理后，得到电容和偏压VG 的关系， VG增加， C/C0 减小，是因为空间电荷区xd 随偏压 增大而增大。 受表面少子电 子浓度的影响 8-56式 一般解释： 强反型时VS 为正，并且数值较大，同时满足 qVS＞2qVB＞＞kT，所以上式中分母第二项为 零。 这时有C/C0=1 从物理图像上理解： 强反型层出现后，大量的电子聚积在半导体的 表面，绝缘层两边堆积了电荷，并且在低频信 号时，少子的产生和复合跟得上低频小信号得 变化。如同只有绝缘层电容一样。