基于电子自旋的具体器件课件.pptVIP

自旋阀 自旋阀的特点： 人为施加外磁场实现相邻磁层磁序变化，而获得巨磁阻。 通过外磁场改变矫顽力较低磁层的磁化方向。 只需要很低的外磁场驱动就可以实现磁层间磁序改变，以制作高灵敏的器件。 自旋阀 自旋阀中出现巨磁电阻效应必须满足下列条件： 1、传导电子在铁磁层中或在“铁磁／非铁磁”界面上的散射几率必须是自旋相关的； 2、传导电子可以用来回穿过两层铁磁层并能记住自己的身份（自旋取向）即自旋自由程、平均自由程大于隔离层厚度。 磁隧道结工电流流动方式 电流传输方式及现象解释 MRAM存储器结构及读写过程 写过程： 将电流分别从BL和WWL两条通过。对应于易轴场和难轴场，产生的综合磁场翻转自由层的磁矩，实现存储单元的数据写入功能。(电流并没有通过MTJ,而通过外的电场来改变自旋电子在MTJ中的自旋方向) 读过程： 先将要读取单元MOSEFT打开，即就是给RWL一个信号,让MOSEFT处于开状态，BL上的电流过MTJ,然后判断MTJ的电阻大小来确定是逻辑‘1’或逻辑‘0’。从而实现存储单元数据读取功能。（电流通过MTJ, 因为此时是为了判断MTJ的电阻值） STT-MRAM工作原理 STT-MRAM简介： STT-MRAM (Spin Transfer Torque-MRAM)即就是自旋力矩转移磁随机存储器，1996 年，由 Slonczewski 和 Berger 通过理论计算预测出了自旋力矩转移效应。即当自旋极化电流流过纳米尺寸的铁磁体时，极化电流所携带的自旋角动量将转移给铁磁体，导致铁磁体磁矩不平衡，使之发生转动、进动甚至使磁化方向反转 自旋电子怎样使铁磁反转 STT-MRAM结构及读写过程 一个本质问题： MRAM和STT-MRAM到底是如何实现存储信息的？条件：保证自旋不发生反转，必需保证结构的特征长度短于电子的自旋扩散长度。 自旋注入将是未来MRAM新的实现方式！ 谢谢！ 基于电子自旋的具体器件 主要内容： 1、典型的三明治结构及特性 2、自旋阀 3、磁隧道结工作原理(MRAM) 4、STT-MRAM工作原理 5、存储本质与简单回顾 典型的三明治结构及特性 铁磁性金属薄膜 非磁性薄膜 自旋阀(spin valve)：当磁性薄膜为金属材料时。 磁隧道结(magnetic tunnel junction)：当磁性薄膜为绝缘材料时。 AF模（Fe-30?/Cr-9?/Fe-30?） H F模式(H为饱和磁场) 矫顽力 磁滞回线 另外我们还知道在自旋阀中，有一层为钉扎层，另一层为自由层，钉扎层就是利用较大的矫顽力来实现的。 铁磁性金属薄膜 磁性薄膜 自旋阀 两种电流向：电流平行于平面和电流垂直平面 电流方向 电极 U U 电子运动方向 受界面散射与自旋方向影响。 电子运动方向 电流方向 电流方向 电子运动方向 电流方向 电子运动方向 U U 传导电子穿过界面会受到更强的与算话相关的散射，其中整体电阻等效于各层本身的电阻和界面电阻之和，表征电阻大小的本质在于流过整个叠层的电子数量的多少或者说是难易程度。 磁随机存储器 （Magnetoresistive Random Access Memory, MRAM）具有读写速度快（纳秒级）、使用寿命长、非易失性、存储密度高、与半导体工艺兼容性好及抗辐射等优点，是最有希望成为下一代信息存储器件的候选存储器之一。 MRAM 器件存储单元立体示意图 Freescale 公司于2003年商业化的传统写入方式的 MRAM 器件存储单元立体示意图。 简化的单元结 MRAM 器件存储单元立体示意图 MRAM存储器结构的缺点： 1、为了使产生的综合磁场翻转自由层的磁矩，需要较大的电流，并有实验证明，翻转场随着 MRAM 单个存储单元尺寸的缩小而增大，从而使这种写入的方式将会导致信息写入能耗的大幅度增加 2、读取数据时，为了增加这些器件信号的可识别性，必须加大读取流，而这又增加了整个器件的功耗 由于以两个缺点，新的STT-MRAM产生。 STT-MRAM结构中两种力矩转换机制： 反平行到平行 平行到反平行 B A B A H M T进动 T0 T1 T0表示能量的耗散导致了进动的减小最终磁矩倒向所加磁场的方向 T1描述的是STT 效应对磁矩运动产生的影响,这个力矩根据电流的方向增加或者减小进动的大小。 STT-MRAM单元结构相对于MRAM 少了一条写入线，这种相对简单的结构使得器件可以更好的小型化，同时还能节约制造成本 写入时两铁磁层磁矩的相对方向由通过存储单元的电流方向决定，而不是由电流产生的磁场方向决定 优点： 1、STT-MRAM具有存储单元尺寸越小，工作面积越小，操作电流越小，性能越优越的优点，这对于实现超高密度低功耗的信息