微秒脉冲电场场强参数的窗口效应.pdfVIP

高电压技术 第37卷第2期2011年2月28日 388 28，2011 HighVoltageEngineering，V01．37，No．2，February 微秒脉冲电场场强参数的窗口效应 李成祥1，孙才新1，姚陈果1，米彦1，周 玮2，熊正爱2 (1．重庆大学输配电装备及系统安全与新技术国家重点实验室，重庆400030； 2，重庆医科大学附属第二医院，重庆400061) 摘要：“s脉冲电场诱导细胞产生的可逆电穿孔效应和不可逆电穿孔效应已有一定研究，但其所诱导的细胞凋亡 效应却往往被忽略，诱导凋亡效应的脉冲电场与产生可逆／不可逆电穿孔效应脉冲电场的剂量关系更是鲜有研究。 为了解这些关系，以人宫颈癌细胞系Hela为实验对象，综合运用PI示踪穿孔、CCK-8法检测活性及流式细胞术测 定凋亡3种实验手段。研究了“s脉冲电场所诱导的可逆电穿孔、不可逆电穿孔及凋亡3种效应与外加脉冲场强的 依赖关系。研究表明，随着外加脉冲场强的增加，细胞将依次出现电穿孑L现象、凋亡现象和不可逆电穿孔现象并得 出了3种效应所对应的场强取值范围(即场强窗n参数)。通过建谚细胞等效电路模型以及定性分析细胞膜及线 粒体膜上跨膜电压与外加电场的关系，较好地解释厂实验现象及其町能机理。 关键词：脉冲电场；可逆电穿孔(RE)；不町逆电穿孔(IRE)；凋亡；窗口参数；细胞电路模型 中图分类号：TM836；Q64文献标志码：A 文章编号：1003—6520(2011)02—0388—07 of MicrosecondPulseField WindowEffectthe Electric Strength LI Yanl，ZHOU Cheng—xian91，SUNCai—xinl，YA0Chen—gu01，MI Wei2，XI()NGZheng—ai2 (1．State ofPowerTransmission and KeyLaboratory EquipmentSystemSecurity New 400030，China； Technology，ChongqingUniversity，Chongqing Affiliated MedicalScience 400061，China) 2．Second Hospital，ChongqingUniversity，Chongqing irreversible inducedmi— Abstract：Thereversible l RE)and／or by electroporation electroporation(IRE)phenomena crosecondelectricfieldshavebeenfocused littleattentionhasbeen tOthe pulse on，whereasI paid apoptosisphenom— enainducedthesame fields．Westudiedthe ofmicrosecondfield doseandthe by pulse dependence pulse strength with