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2016-03-28 发布于河北
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带非吸收窗口的大功率657 nm半导体激光器.pdf

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带非吸收窗口的大功率657 nm半导体激光器.pdf

第36卷第1期中国激光 v01．36，No．1 LASERS January，2009 2009年1月 CHINESEJOURNAL0F 文章编号：0258—7025(2009)01—0104—06 nm半导体激光器带非吸收窗口的大功率657 林涛1 段玉鹏2 郑凯3 崇峰3 马骁宇3 ／ 1西安理工大学电子工程系，陕西西安710048 、＼z西北大学物理系，陕西西安710069；3中国科学院半导体研究所，北京1000831 摘要在激光器腔面处制作非吸收窗口(NAW)可以有效地减少光吸收，防止激光器过早出现光学灾变损伤 (COD)，是提高大功率半导体激光器的功率特性的重要手段之一。采用金属有机化学气相沉积(M(K；VD)技术二 nm红光半导体激光器结构，通过闭管扩散Zn的方法在腔面附近制作了非吸收窗口。实次外延生长了大功率657 minlt,f，得到的非吸收窗口最为有效，激光器连续工作的无扭折输出功率大于验发现扩散温度550℃，扩散时间20 100 mw，超过常规的无窗口结构激光器的最大输出功率的两倍，激光器的斜率效率提高了23％。测量该类器件的 mW，计算得到激光器的特征温度约为89K。波长温度特性发现，环境温度为20～70℃时，其输出功率均可大于50 nm／℃。增加率约为0．24 关键词激光器；半导体激光器；光学灾变损伤；非吸收窗口；最子阱混杂；A1GalnP 中图分类号TN248．4文献标识码 A doi：10．3788／CJ0104 Power657amLaserDiodeswith Windows High Nonabsorbing LinTa01DuanYu Kai3 Ma Zheng ChongFen93 Xiaoyu3 pen92 Electronic 710048，China 1Departmentof Engineering。Xi’anUniversityofTechnology，Xi’an·Shaanxi 2 710069，China DepartmentofPhysics，NorthwestUniversity，Xi’an，Shaanxi 3 Semiconductors，Chinese 100083，China Institute Sciences，Beijing of Academyof the facetscanreducethe and AbstractTofabricate windows(NAWs)nearcavity light nonabsorbing