单片机结构原理详解.ppt

RAM和ROM RAM – 随机存储，掉电丢失，速度快。 可用作单片机数据存储器。 ROM – 掉电存储，速度慢。 可用作单片机程序存储器。 时序的基本概念 振荡周期：由振荡时钟产生。振荡周期Tosc = 1/fosc 状态周期：含2个振荡周期，即相位P1、P2 机器周期：6个状态周期，或12个振荡周期 = 12×1/fosc 。例如，若fosc = 12MHz，则一个机器周期 = 1μs。 指令周期：即从取指到执行完所需时间。不同机器指令周期不一样； 1、2、4个机器周期3种 时钟电路 2.5 单片机的复位、掉电保护和低功耗设计 复位：在单片机RST引脚（PIN-9)出现两个机器周期以上的高电平，就可实现复位。RST由高变低电平后，单片机从0000H地址开始执行程序。 2.4 并行I/O口及应用 P3口第二功能 三总线结构 P1口驱动发光二级管 存储单元和地址 B0H-B7H B0H √ I/O时准双向 控制总线 √ P3口 地址数据分时复用 备注 A0H-A7H A0H √ I/O时准双向； 总线时全双向 高8位地址 √ P2口 90H-97H 90H √ 准双向 无 √ P1口 80H-87H 80H × I/O时准双向； 总线时全双向 低8位地址； 数据总线 √ P0口 位地址 字节地址 内置上拉电阻 双向通讯 总线功能 通用I/O,位寻址 单片机原理与C51基础 存储器结构 三、80C51单片机存储器 存储器的体系结构 数据存储器与程序存储器的区别 存储器的空间安排与调用 特殊功能寄存器 物理存储空间 程序存储器ROM 片内 片外 数据存储器RAM 128B 4KB … … 50H … … 51H 52H 53H 位(0/1) 字节地址 字节 例： MOV A, #30H 机器码： 74H, 30H 二进制： 1KB = 2^10B = 1024B 片内数据RAM: 128B = 2^4B 地址 00H-7FH 片内程序ROM: 4KB = 2^12B 地址 0000H-0FFFH 最大寻址能力 2^16B = 64KB 地址 0000H-FFFFH 存储器的配置方式 Harvard结构 MCS-51 MCS-98, 80X86 程序存储器 片内4KB程序存储器，地址0000H～0FFFH /EA引脚高电平时用片内存储器（8031无片内程序存储器） 由16位程序指针PC顺次读取指令 预定中断服务程序入口地址 片内程序存储器 0023H 串行口中断 001BH 定时器T1 0013H 外部中断1 000BH 定时器T0 0003H 外部中断0 片外程序存储器 可扩展64KB片外程序存储器，地址范围为0000H～0FFFFH 对片外程序存储器的读取由/PSEN信号控制。 片内数据存储器 片内片外低128位（00H-7FH）地址重叠， 使用时由指令区分 （1) 工作寄存器区 RAM最低32字节（00H-1FH)做工作寄存器 按顺序分为4组，每组八个字节 (R0, R1, …R7) 选择工作寄存器组由PSW中RS1和RS2两位控制 可使用不同组中的寄存器Rx更快速编程 – 改变组号 1FH 1EH 1DH 1CH 1BH 1AH 19H 18H 1 1 3 18H-1FH 17H 16H 15H 14H 13H 12H 11H 10H 0 1 2 10H-17H 0FH 0EH 0DH 0CH 0BH 0AH 09H 08H 1 0 1 08H-0FH 07H 06H 05H 04H 03H 02H 01H 00H 0 0 0 00H-07H R7 R6 R5 R4 R3 R2 R1 R0 RS0 RS1 组 地址 (2)位寻址区 位寻址区可对每一位直接读写，用0/1表示一个状态量 共16个字节，字节地址20H-2FH。 每字节8位故有128个位可寻址，编有独立的位地址00H-7FH 另有11个特殊功能寄存器(SFR)也可直接位寻址 （3）普通数据存储区 地址范围30H-7FH, 按字节寻址 用于输入/输出和中间运算结果的暂存 如不需多个寄存器组交换，部分工作寄存器区也可作为普通数据存储区使用 如不需要进行位操作，位寻址区也可作为普通数据存储区使用； 注意：堆栈也安排在片内数据存储器内，使用时要避免堆栈区和普通数据存储区冲突。 * * 单片机原理与C51基础 基本结构及引脚 一个8位微处理器(CPU) 4KB片内程序存储器(ROM) 128B片内数据存储器(RAM) 21个专用寄存器 (SFR) 4个8位并行I/O接口(P0 - P3