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摘 要
摘 要
采用两步生长法，利用脉冲激光沉积法在 Si(111)衬底上制备了 10~40 nm 的外延
CeO 薄膜，采用磁控溅射法构建了 Pt/CeO /Si MOS 结构，进一步表征了 CeO 薄膜的界
2 2 2
面和介电性能，根据等效氧化物厚度-物理厚度曲线得出 CeO2 薄膜的介电常数为 37，
由高频电容电导法计算得出界面态密度为 1012 量级。
利用外延 CeO 薄膜充当缓冲层,应用脉冲激光沉积法在 CeO /Si(111)衬底上制备了
2 2
Ba0.6Sr0.4TiO3 （BST ）薄膜，研究了不同氧压下沉积温度对BST 薄膜结构的影响，结果
表明，较低的氧压有利于制备高质量的 BST 薄膜，在 1 Pa 氧压下、沉积温度为 750 ℃
时制备出了高度择优的BST 薄膜，通过构建 MFIS 结构，进一步研究了 Pt/BST/CeO2/Si
电容器的电学性能，在5 V 偏压下电容器的记忆窗口为 0.8 V，外加偏压为 10 V 时漏电
流密度仅为 8.5×10-7 2
A/cm ，说明电容器具有良好的绝缘性能。
采用磁控溅射法和脉冲激光沉积法制备了 Pt/La Sr CoO /BST/La Sr CoO /
0.5 0.5 3 0.5 0.5 3
CeO /Si （Pt/LSCO/BST/LSCO/CeO /Si ）异质结电容器,实验发现，BST 薄膜为(001)、(002)
2 2
和(110)取向多晶钙钛矿结构，介电测量表明 BST 薄膜具有较大的介电常数和较高的调
谐率，分别为 493 和 22% 。制备的LSCO/BST/LSCO 电容器具有较小的漏电流密度，在
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5 V 偏置电压下漏电流密度为 8.7×10 A/cm 。
应用磁控溅射法和脉冲激光沉积法，构建了 Pt/BST/Pt 和 Pt/Ni-Ti/BST/Ni-Ti/Pt 电容
器，结果发现，非晶 Ni-Ti 阻挡层的引入，有效地抑制了 BST 和 Pt 之间的互扩散，减
小了介电死层的厚度，明显增加了 BST 薄膜的介电常数；非晶 Ni-Ti 阻挡层有效降低了
BST 薄膜中氧空位的含量，与未加阻挡层的 Pt/BST/Pt 电容器相比，Pt/Ni-Ti/BST/Ni-Ti/Pt
电容器具有较小的介电损耗和较低的漏电流密度。
关键词 Bax Sr1-xTiO3 薄膜 非晶 Ni-Ti 阻挡层 CeO2 缓冲层 导电机制
I
Abstract
Abstract
Epitaxial CeO2 thin films, 10~40 nm thick, were deposited on Si(111) substrates by the
pulsed laser deposition method. The metal-oxide-semiconductor (MOS) structures were
further fabricated t
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