聚天冬氨酸对铜缓蚀作用的光电化学研究.pdfVIP

第 卷 第 期 化 工 学 报 ５９ ３ Ｖｏｌ．５９ Ｎｏ．３ 　 　 　 　 　　　 　　　 　　　 　　　 　　　　 　 年 月 （ ） ２００８ ３ Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｉｎｄｕｓｔｒ ａｎｄ Ｅｎｉｎｅｅｒｉｎ Ｃｈｉｎａ Ｍａｒｃｈ ２００８ 　 　 　 　 　 　 ｙ　 　 ｇ ｇ　 　 　　 　 檭 殐檭檭檭檭檭殐 檭 研究论文檭 聚天冬氨酸对铜缓蚀作用的光电化学研究 殐 殐 檭 檭檭檭檭檭 ， １２ １ ２ ２ ２ １ ３ 朱律均 ，徐群杰 ，曹为民 ，万宗跃 ，印仁和 ，周国定 ，林昌健 １ （上海电力学院环境工程系，国家电力公司热力设备腐蚀与防护部级重点实验室，上海 ２０００９０； ２ ３ 上海大学理学院化学系，上海 ２００４４４； 厦门大学固体表面物理化学国家重点实验室，福建 厦门 ３６１００５） 摘要：用光电化学方法研究了绿色水处理药剂聚天冬氨酸对铜的缓蚀作用，铜在硼酸 硼砂缓冲溶液 （ ）  ｐＨ＝９．２ 中，表面的 膜显 型光响应，添加适量缓蚀剂聚天冬氨酸 （ ）后， 吸附在铜电极表面成膜促 ＣｕＯ ｐ ＰＡＳＰ ＰＡＳＰ ２ 使 膜增厚，体现在电位在负向扫描过程中 膜的 型光电流增大。 型光电流越大，缓蚀性能越好。 ＣｕＯ ＣｕＯ ｐ ｐ ２ ２ －１ － 当 浓度为 · 时， 膜的 型光电流最大，缓蚀性能最好。 的存在会阻止 在铜电极表 ＰＡＳＰ ３ｍ Ｌ ＣｕＯ  Ｃｌ ＰＡＳＰ ｇ ２ ｐ 面的吸附，使 ＣｕＯ膜暴露而受侵蚀，导致了ＰＡＳＰ的缓蚀性能变差。 ２ 关键词：聚天冬氨酸；光电化学；缓蚀剂；铜 中图分类号： 文献标识码： 文章编号： （ ） ＴＧ１７４．４ Ａ ０４３８－１１５７ ２００８ ０３－０６６５－０５ 　　　　　　 犘犺狅狋狅犲犾犲犮狋狉狅犮犺犲犿犻犮犪犾狊狋狌犱 狅犳犻狀犺犻犫犻狋犻狅狀