半导体工艺原理---集成电路制造工艺介绍(贵州大学).pptVIP

Chapter 2 Introduction of IC Fabrication 集成电路制造工艺介绍 一）双极型工艺1、元器件结构 2、典型的PN结隔离的双极型电路工艺流程 衬底准备 工艺流程： 光刻掩膜版简图汇总： 二）、MOS集成电路芯片制造工艺（N阱硅栅CMOS工艺） 1、CMOS工艺中的元器件结构 电阻 电容 二极管 MOS晶体管 2、主要工艺流程图 衬底准备 工艺流程： 氧化、光刻N-阱(nwell) N-阱注入，N-阱推进,退火，清洁表面 长薄氧、长氮化硅、光刻场区(active反版) 场区氧化（LOCOS）, 清洁表面 (场区氧化前可做N管场区注入和P管场区注入） 栅氧化,淀积多晶硅，多晶硅N+掺杂，反刻多晶 （polysilicon—poly) P+ active注入（Pplus）（ 硅栅自对准） （polysilicon—poly) N+ active注入（Nplus —Pplus反版）  （ 硅栅自对准） 淀积BPSG，光刻接触孔(contact)，回流 蒸镀金属1，反刻金属1（metal1) 绝缘介质淀积，平整化，光刻通孔(via) 蒸镀金属2，反刻金属2（metal2) 钝化层淀积，平整化，光刻钝化窗孔(pad) 光刻掩膜版简图汇总： 四）集成电路芯片制造工艺流程汇总 NSD光刻，高剂量砷离子注入 PSD光刻,高剂量BF2离子注入 BF2离子注入 NBL PBL P阱 场氧 NSINK 光刻胶 MOS管源漏退火 MOS管制作基本完成 NBL PBL NMOS管 场氧 NSINK PMOS管 P+掺杂多晶硅（SiGe HBT外基区） 淀积一层SiO2，作为MOS管栅保护层 SiGe 基区窗口光刻，刻蚀SiO2/多晶硅/SiO2 NBL PBL NMOS管 场氧 NSINK PMOS管 SiGe HBT基区窗口 选择性外延生长一层SiGe基区 NBL PBL NMOS管 场氧 NSINK PMOS管 SiGe基区 P+多晶硅外基区 LPCVD Si3N4 RIE刻蚀Si3N4,形成发射极Spacer NBL PBL NMOS管 场氧 NSINK PMOS管 Spacer 第二层多晶硅淀积 发射极砷注入、刻蚀多晶硅、快速退火激活杂质 NBL PBL NMOS管 场氧 NSINK PMOS管 SiGe基区 发射极 介质层淀积 CONT光刻、刻蚀，露出接触孔 NBL PBL NMOS管 场氧 NSINK PMOS管 接触孔 第一层金属布线 NBL PBL NMOS管 场氧 NSINK PMOS管 SiGe HBT 发射极 基极 集电极 源/漏 源/漏 源/漏 源/漏 MET1光刻，刻蚀金属 芯片表面钝化保护层淀积，工艺流程结束 NBL PBL NMOS管 场氧 NSINK PMOS管 SiGe HBT 发射极 基极 集电极 源/漏 源/漏 源/漏 源/漏 PSD/N阱齐纳二极管剖面图 PSD保护环肖特基二极管剖面图 N阱CMOS工艺中MOS晶体管剖面图 P阱CMOS工艺中MOS晶体管剖面图 双阱CMOS工艺中MOS晶体管剖面图 P+/P外延片 P型单晶片 P-Sub N阱 P-Sub P-Sub N阱 P-Sub P-Sub P-Sub P-Sub P-Sub P-Sub P-Sub P-Sub P-Sub P-Sub P-Sub P-Sub P-Sub P-Sub P-Sub N阱 ?有源区 ?多晶 ?Pplus ?Nplus ?引线孔 ?金属1 ?通孔 ?金属2 ?钝化 三）、SiGe BiCMOS工艺流程简介 P型100衬底材料准备 NBL光刻,高剂量砷离子注入 P型衬底材料 砷离子注入 光刻胶 大面积PBL中剂量硼离子注入 高温退火推结 NBL PBL 外延层生长，在硅片上生长一层N-外延层 NBL PBL N-外延层 PWELL光刻，硼离子注入 高温退火推阱，形成P阱 NBL PBL P阱 N-外延层 淀积一层SiO2/Si3N4（场氧保护层） ISO光刻、刻蚀，开出场氧区域 NBL PBL N-外延层 P阱 氮化硅 二氧化硅 场区 隔离场氧化 氧化后去掉氮化硅 NBL PBL P阱 N-外延层 场氧 NSINK光刻，高能量高剂量磷注入 高温退火，形成与NBL相连的N+穿透层 NBL PBL P阱 场氧 N-外延层 N+穿透（HBT集电极） NSINK 栅氧生长，生长一层高质量的栅氧化层 LPCVD第一层多晶硅 NBL PBL P阱 N-外延层 场氧 栅氧 多晶硅 NSINK POLY1光刻，开出MOS管栅及HBT外基区部分 刻蚀多晶硅二氧化硅 NBL PBL P阱 场氧 NSINK 栅 栅 HBT外基区 NMO