半导体工艺原理--复习总结(贵州大学)资料.docVIP

1.根据扩散源的不同有三种扩散工艺：固态源扩散，液态源扩散，气态源扩散。 2.固相扩散工艺 微电子工艺中的扩散，是杂质在晶体内的扩散，是固相扩散工艺。 固相扩散是通过微观粒子一系列随机跳跃来实现的，这些跳跃在整个三维方向进行，主要有三种方式: 间隙式扩散 替位式扩散 间隙—替位式扩散 3.什么是离子注入 离化后的原子在强电场的加速作用下，注射进入靶材料的表层，以改变这种材料表层的物理或化学性质. 注入离子在靶内受到的碰撞是随机的，所以杂质分布也是按几率分布的。离子进入非晶层（穿入距离）的分布接近高斯分布. 4.离子注入的沟道效应 沟道效应 当离子沿晶轴方向注入时，大部分离子将沿沟道运动，几乎不会受到原子核的散射，方向基本不变，可以走得很远。 5.减少沟道效应的措施 (1)对大的离子，沿沟道轴向(110)偏离7－10o (2)用Si，Ge，F，Ar等离子注入使表面预非晶化，形成非晶层. (3)增加注入剂量（晶格损失增加，非晶层形成，沟道离子减少）. (4)表面用SiO2层掩膜. 6.损伤退火的目的(修复晶格，激活杂质) A.去除由注入造成的损伤，让硅晶格恢复其原有完美晶体结构 B.让杂质进入电活性（electrically active） 位置－替位位置。 C.恢复电子和空穴迁移率 7.退火方法 a.高温退火 b.快速退火：激光、高强度光照、电子束退火、其他辐射. 8.注入方法 a直接注入 离子在光刻窗口直接注入Si衬底。射程大、杂质重时采用。 b间接注入； 通过介质薄膜或光刻胶注入衬底晶体。间接注入沾污少，可以获得精确的表面浓度。 c多次注入 通过多次注入使杂质纵向分布精确可控，与高斯分布接近；也可以将不同能量、剂量的杂质多次注入到衬底硅中，使杂质分布为设计形状。 9.降低系统自掺杂方法 a.降低系统自掺杂的有效方法是对石墨基座进行HCl 高温处理，处理的温度应该高于外延生长温度。 b.所谓高温处理就是用HCl 在高温下把基座上淀积的硅腐蚀掉，在腐蚀后立即在基座上包一层本征硅用来封闭基座。 10.光刻 定义:光刻是图形复印与腐蚀作用相结合，在晶片表面薄膜上制备图形的精密表面工艺技术。 目的:在介质薄膜（二氧化硅、氮化硅、多晶硅等）、金属薄膜或金属合金薄膜上面刻蚀出与掩膜版完全对应的几何图形，从而实现选择性扩散和金属薄膜布线的目的。 目标: (1）尽可能接近特征图形尺寸。 （2）在晶圆表面正确定位图形，包括套刻准确。 11、光刻胶 正胶：胶的曝光区在显影中除去。正胶曝光时发生光分解反应变成可溶的。 使用这种光刻胶时，能够得到与掩膜版遮光图案相同的图形，故称之为正胶。 负胶：胶的曝光区在显影中保留，用的较多。具体说来负胶在曝光前对某些有机溶剂（丙酮、丁酮、环己酮）是可溶的，而曝光后发生光聚合反应变成不可溶的。 使用这种光刻胶时，能够得到与掩膜版遮光图案相反的图形，故称之为负胶。 正胶 负胶 ① 不易氧化 易氧化而使光刻胶膜变薄 ② 成本高 成本低 ③ 图形边缘整齐、陡直，无溶胀现象 易吸收显影液而溶涨 ④ 分辨率更高 ⑤ 去胶较容易 ⑥ 抗蚀性强于正胶 13、光刻基本步骤 ? 涂胶 ? 对准和曝光 ? 显影 光刻步骤细分有： 1、清洗硅片 Wafer Clean。 2、预烘和底胶涂覆 Pre-bake and Primer Vapor 3、光刻胶涂覆 Photoresist Coating 4、前烘 Soft Bake 5、对准 Alignment 6、曝光 Exposure 7、后烘 Post Exposure Bake 8、显影 Development 9、坚膜 Hard Bake 10、图形检测 Pattern Inspection 化学气相淀积CVD模型 化学气相淀积(Chemical Vapor Deposition, CVD)是通过气态物质的化学反应在衬底上淀积薄膜的工艺方法。 淀积的薄膜是非晶或多晶态，衬底不要求是单晶，只要是具有一定平整度，能经受淀积温度即可 1.1 CVD过程 (1)反应剂被携带气体引入反应器后，在衬底表面附近形成“滞留层”，然后，在主气流中的反应剂越过边界层扩散到硅片表面 (2)反应剂被吸附在硅片表面，并进行