二极管和晶体管()课件.pptVIP

3.3 半导体二极管 3.3.1 基本结构 3.3.2 伏安特性 练习与思考3.3 为什么会有死区电压 削弱PN结需要一定的能量 硅管、锗管的死区电压值、导通电压值 硅管：0.5V 0.7V 锗管：0.1V 0.3V 练习与思考3.3 判断题：反向电流IR与反向电压UR无关 反向电压反向击穿电压UBR时，IR与UR无关，因为所有的少子均已参与漂移。 反向电压反向击穿电压UBR时，反向电流IR猛然增大，因为半导体中发生雪崩击穿与齐纳击穿，使得载流子数量急剧增大 判断题：反向饱和电流IBS随温度升高而增大 √构成反向饱和电流的少子数量会随温度升高而增多（热激发） 3.3.3 主要参数 3.4 稳压二极管 3. 主要参数（关注发热安全和稳压效果） 练习与思考3.4 判断题：动态电阻rz越小，稳压管质量越好 √电压变化量?0，稳压管两端电压保持不变。 判断题：稳压二极管可获得0.7V的稳定电压 √稳压管由硅材料做成，利用其正向压降，可获得0.7V的稳定电压。 大信号的二极管电路分析: (a) 点接触型 (b)面接触型 结面积小、结电容小、正向电流小。用于小功率高频电路。 结面积大、正向电流大、结电容大，用于大功率低频电路。 阴极 阳极 ( d ) 符号 D 硅管0.5V锗管0.1V （截止区与击穿区的分界线） 反向击穿电压U(BR) 导通压降 外加电压死区电压?二极管导通 外加电压反向击穿电压?击穿二极管（反向击穿区） 正向特性 反向截止区 反向饱和电流小且恒定 特点：非线性 硅0.7V 锗0.3V U I 死区电压 P N + – P N – + 反向击穿区 击穿电流大 串R来限流 1. 最大整流电流 IOM 长期使用时，允许流过二极管的最大正向平均电流。 2. 反向击穿电压UBR 反向截止区与反向击穿区的分界线。 反向峰值电压URWM=0.5*反向击穿电压UBR 3. 反向峰值电流IRM 二极管处反向截止区时，所流经的反向饱和电流IBS。 温度高?反向饱和电流大?单向导电性差 稳压管正常工作时处反向击穿区 正常工作的稳压管，其电流变化很大， 其电压变化很小→0， 可起稳压作用。 1. 符号 UZ IZ ? UZ ? IZ 2. 伏安特性 U I O IZmin IZmax 热击穿 反向击穿区（电击穿） 反向截止区 (1) 稳定电压UZ 稳压管正常工作(反向击穿)时的两端电压。 (2) 电压温度系数?ｕ 环境温度每变化1?C引起稳压值变化的百分数。 (3) 动态电阻 (4) 稳定电流 IZ ：最大稳定电流 IZmax 最小稳定电流 IZmin (5) 最大允许耗散功率 PZM = UZ IZM rZ愈小，曲线愈陡，稳压性能愈好。 分析关键：判断二极管的状态—导通还是截止？ 导通下的电路分析；截止下的电路分析—要分析两次 否则，正向管压降 硅0.7V 锗0.3V 分析方法: (假设法) 假定二极管断开，分析二极管两端电位的高低。 若 V阳 V阴( 正向偏置 )，则二极管导通?需重新分析 若 V阳 V阴 ( 反向偏置 )，则二极管截止?假设正确 理想二极管：正向导通的二极管=闭合的闸刀， 反向截止的二极管=断开的闸刀。 电路如图，求：UAB V阳V阴 ，所以二极管的实际状态为导通 UAB =－ 6V 若考虑0.7V管压降，为－6.7Ｖ 例1： 要确定D管的实际状态--- 首先假定二极管断开， （最容易分析的D管状态） D 6V 12V 3k? B A UAB + – －6 V －12 V － 6V 关键：确定D管的实际状态。 假定D1D2均断开， （最容易分析的二极管状态） V1阳 =－6 V，V2阳=0 V，V1阴 = V2阴= －12 V UD1 = 6V，UD2 =12V ∵ UD2 UD1 ∴ D2 优先导通， D1随后反向截止。 若忽略管压降，UAB = 0 V 例2: 求：UAB D2 ：（导通）钳位 D1：（截止）隔离 B D1 6V 12V 3k? A D2 UAB + – 0 V -6 V -12V 0 V 0V ui 8V，二极管导通（短路 ）uo = 8V；即画水平线 ui 8V，二极管截止（开路 ）uo = ui ；即保留波形 已知： 二极管是理想的，试画出 uo 波形。 8V 例： 解题