二氧化硅薄膜及其钝化要点.ppt

引言 引言 引言 引言 但是硅片中体少子寿命对高温工艺的敏感性非常高，尤其是对于多晶硅片，900℃以上的热氧化工艺通常可导致体少子寿命的明显衰退。 等离子体增强化学气相沉积（PECVD)生长SiNx薄膜,具有低温、低成本等优点，因此 SiNx钝化成为晶硅电池表面的主要钝化工艺，但是SiNx/Si界面晶格失配严重，其钝化性能不如SiO2/Si。 液相沉积具有沉积温度低（30～50℃)、选择性生长、沉积速率快、无需真空环境、设备简单、薄膜质量好等优点。 实验过程 实验过程 实验所用衬底面积为 125cm×125cm厚度为(20±10)μm、电阻率为1～3?·cm的P型单晶硅片。 硅片表面预处理：将硅片在4％HF溶液中浸泡5min，然后去离子水中浸泡1h，硅表面状态为Si-OH。 配置溶液：量取适量的分析纯氟硅酸（H4SiO4)溶液，其浓度为30％～40％，然后加入高纯硅酸（H4SiO4)粉末(99.99％)至溶液饱和，判断溶液饱和的标志是往里加入过氧化氢时，溶液会显示橙黄色。 将上述溶液磁力搅拌20min，溶液温度调节为40℃，把预处理好的硅片放入溶液中进行液相沉积二氧化硅薄膜。 实验过程-实验仪器 利用场发射扫描电镜(JEOL JSM-7001F)对薄膜的微观形貌进行观察。 采用德国BRUKER公司的Ver-tex 70V型傅立叶红外光谱仪(FTIR)测定SiO2薄膜的官能团结构。 利用Thermo Scientific公司的ESCALab250型X射线光电子能谱仪对薄膜成分进行分析，激发源为单色化Al KαX射线，功率为150W，分析时的基础真空度约为6.5×10-8Pa，结合能用烷基碳或污染碳的Cls峰(284.8eV)校正。 少数载流子寿命由微波光电导衰减(μ-PCD)测试，利用Semilab公司生产的WT-2000型μ-PCD仪对样品进行少子寿命测量，测量时采用波长为904nm、脉冲宽度200ns的激光激发光生载流子，每个脉冲产生的载流子数为120×1011。 实验过程-实验仪器 傅立叶红外光谱仪(FTIR)原理：用一定频率的红外线聚焦照射被分析的试样，如果分子中某个基团的振动频率与照射红外线相同就会产生共振，这个基团就吸收一定频率的红外线，把分子吸收的红外线的情况用仪器记录下来，便能得到全面反映试样成份特征的光谱，从而推测化合物的类型和结构。 实验过程-实验仪器 WT-2000型μ-PCD仪原理：使用波长为904nm的激光激发硅片产生电子-空穴对，导致样品电导率的增加，当撤去外界光注入时，电导率随时间指数衰减，这一趋势间接反映了少数载流子数量的衰减趋势。通过微波（频率为10.225GHz）探测硅片电导率随时间的变化就可以得到少数载流子的寿命。 结果与讨论-薄膜的微观组织 结论 利用液相沉积方法成功在硅基底上制备了二氧化硅薄膜，薄膜致密平整，均匀覆盖在硅片表面，成分中含有少量的F元素。 液相沉积二氧化硅薄膜后，硅在300～1100nm波段范围内的反射率由28.87％降低至10.88％。 研究了退火温度和退火时间对液相沉积二氧化硅薄膜钝化性能的影响，300℃退火 660s，表面复合速度从6923cm/s降低至2830cm/s。 液相法沉积法制备的二氧化硅薄膜及其钝化性能 报告人：王志刚 学号： 2014-10-21 材料制备方法-功能薄膜 * 目 录 结论 4 结果与讨论 3 实验过程 2 引言 1 * * 晶体硅太阳能电池目前是居主导地位的光伏器件，在生产和应用总量中占首位，并将向效率更高、成本更低的方向发展。 晶体硅材料表面的质量对太阳能电池的转化效率起着至关重要的作用，这是因为晶硅材料的表面缺陷密度很高，存在大量的悬挂键、杂质和断键等，成为载流子的复合中心，导致硅片表面的少子寿命大大降低，因此需要对硅片进行表面钝化，以减少载流子复合。一般而言，通过采用热氧化SiO2生长工艺（≧900℃）可以对晶体硅表面进行有效钝化，抑制载流子在表面的复合。 * 悬挂键：一般晶体因晶格在表面处突然终止，在表面的最外层的每个原子将有一个未配对的电子，即有一个未饱和的键，这个键称为悬挂键。 * 少子寿命：太阳能电池光电流是光激发产生非平衡载流子，并在pn结作用下流动产生的。载流子的复合会使光电流减少，少子寿命越小光电流越小。同时少子寿命减小，增加漏电流从而使开路电压减小。总之，少子寿命越小，电池效率越低。 由于非平衡少子起着很重要的作