调制激光致硅晶圆载流子辐射扫描成像试验研究刘俊岩-物理学报.pdfVIP

调制激光致硅晶圆载流子辐射扫描成像试验研究 刘俊岩 宋鹏 秦雷 王飞 王扬 Experimentalstudyonscanimagingofsiliconwaferbylaser-induced photocarrier radiometry LiuJun-Yan SongPeng QinLei WangFei WangYang 引用信息Citation: ActaPhysicaSinica, ,087804(2015) DOI: 10.7498/aps.64.087804 在线阅读Viewonline: /10.7498/aps.64.087804 当期内容Viewtableofcontents: /CN/Y2015/V64/I8 您可能感兴趣的其他文章 Articlesyoumaybeinterestedin 高性能透射式GaAs光电阴极量子效率拟合与结构研究 Researchonquantumefficientfittingandstructureofhighperformancetransmission-modeGaAsphoto- cathode 物理学报.2011,60(10): 107802 /10.7498/aps.60.107802 一种测量p-GaN载流子浓度的方法 Anewmethodtomeasurethecarrierconcentrationofp-GaN 物理学报.2011,60(3): 037804 /10.7498/aps.60.037804 物理学报 Acta Phys. Sin. Vol. 64, No. 8 (2015) 087804 调制激光致硅晶圆载流子辐射扫描成像试验研究 刘俊岩 宋鹏 秦雷 王飞 王扬 (哈尔滨工业大学机电工程学院, 哈尔滨 150001) ( 2014 年10 月29 日收到; 2014 年12 月4 日收到修改稿) 建立了调制激光诱发硅晶圆少数载流子密度波一维模型, 仿真分析了少数载流子输运参数对调制激光诱 发载流子辐射信号频域响应的影响. 利用调制激光诱发载流子辐射扫描成像系统对含有表面划痕的硅晶圆进 行了扫描成像试验研究. 通过少数载流子密度波模型与多参数拟合方法反求得到了扫描区域的输运参数二维 分布图. 该方法得到的少数载流子寿命与利用传统光电导方法测量的少数载流子寿命结果相符; 分析了划痕 对载流子输运参数造成的影响, 与光电导方法比较, 该方法可以测量不同位置的全部载流子输运参数且分辨 率高. 关键词: 调制激光诱发载流子辐射, 硅晶圆, 输运参数, 扫描成像 PACS: 78.56.Cd, 78.40.Fy, 07.68.+m DOI: 10.7498/aps.64.087804 9 晶圆的缺陷和污染进行扫描成像; Liu 等 研究了 1 引 言 热退火对硅晶圆PCR 信号的影响; Sun 等10 利用 InGaAs 相机对硅片进行成像研究; Ren 等11 结合 硅晶圆是制作芯片和硅基太阳能电池片的主 扫频和准时域PCR 技术对不同掺杂浓度的硅晶圆 要原料, 随着科技发展, 硅晶圆的需求日益增多. 进行了研究. 利用PCR 技术可以得到硅晶圆的输 硅晶圆少数载流子输运参数(载流子寿命 、扩散系 运参数, 因此输运参数的分布以及划痕对输运参数 数 、前表面复合速率 和后表面复合速率 ) 决 的影响需要进行深入研究, 为后续工艺制造、避免 f r 定硅晶圆的质量进而影响后续元器件的性能, 因此 划痕提供一定指导. 对硅晶圆载流子输运参数检测显得尤为重要.