第四章半导体中载流子在电磁场中的运动精要.ppt

三、几何磁阻效应 1．长条样品(N型) Bz=0，E=Ex Bz?0 I J E E J I Bz J J I + - θ I Bx 2. 扁形样品(N型) Bz=0，E=Ex Bz?0 3．园盘形样品 Corbino效应 I I Bz Bz=0 Bz?0 θ 四、磁阻效应的应用 磁敏电阻：结构简单，灵敏度高，但要求迁移率高。二端器件 Corbino圆盘的磁阻： 本章知识扩展：量子霍尔效应 1. 朗道能级---能级简并 2. 载流子运动局域化 普通霍尔效应：体能态导电 量子霍尔效应：边缘态导电 1. 对称性破缺 2. 载流子运动局域化 量子霍尔效应家族 量子霍尔效应 量子自旋霍尔效应 量子反常霍尔效应 量子反常霍尔效应的实验观测（薛其坤等： Science 2013） 材料体系：三维(BiCrSb)2Te3磁性拓扑绝缘体 第四章 小结 一、电导率 迁移率 电导率与平均自由时间的关系 二、载流子的散射 1.电离杂质的散射：低温、掺杂浓度高 2.晶格散射：高温、掺杂浓度低 纵声学波散射—原子晶体 纵光学波散射—离子晶体 三、元素半导体的迁移率和电阻率与温度和掺杂浓度的关系 四、强电场效应 五、霍尔效应 1.霍尔效应的形成过程 2.霍尔系数与温度、掺杂类型和浓度的关系 3.霍尔角与迁移率和电导率的关系 六、磁阻效应：物理磁阻效应和几何磁阻效应 GaAs的负阻效应 第四章 思考题与自测题 试从经典物理和量子理论分别说明散射的物理意义。 比较并区别下述物理概念：电导迁移率、霍耳迁移率和漂移迁移率。 什么是声子？它对半导体材料的电导起什么作用？ 强电场作用下，迁移率的数值与场强E有关，这时欧姆定律是否仍然正确？为什么？ 半导体的电阻系数是正的还是负的？为什么？ 有一块本征半导体样品，试描述用以增加其电导率的两个物理过程。 如果有相同的电阻率的掺杂锗和硅半导体，问哪一个材料的少子浓度高？为什么？ 光学波散射和声学波散射的物理机构有何区别？各在什么样晶体中起主要作用？ 说明本征锗和硅中载流子迁移率温度增加如何变化？ 电导有效质量和状态密度有何区别？它们与电子的纵有效质量和横有效质量的关系如何？ 对于仅含一种杂质的锗样品，如果要确定载流子符号、浓度、迁移率和有效质量，应进行哪些测量？ 解释多能谷散射如何影响材料的导电性。 解释p型半导体霍耳系数改变符号的原因。 何谓霍耳角？与磁感应强度和载流子迁移率的关系如何？ 第四章 习题 P125 第2、3、7、16题 P355 第1题 设： 试证明： （1）半导体电导率取极小值σmin的条件是： （2） 其中σi是本征半导体的电导率，b=μn/μp 补充题 三、霍尔效应的本质：载流子在电磁场中的运动 考虑多次散射后的平均速度： X，y方向的电流密度表达式： 霍尔电导张量 ：霍尔电导率 稳态时可得： 考虑载流子速度统计分布（求解波尔兹曼方程）： N-type P-type 统计平均值项：散射相关 载流子散射因素 两种载流子同时存在 霍尔效应 ？ Ex Bz I - + z y x 四、两种载流子同时存在时霍尔效应 1．霍尔效应的形成过程及霍尔系数RH 有四种横向电流： ● 空穴在磁场力作用下，漂移运动发生偏转，使电流产生横向分量，形成的横向电流 ● 电子在磁场力作用下，漂移运动发生偏转，使电流产生横向分量，形成的横向电流 ● 空穴在y方向霍尔场作用下形成的电流 ● 电子在y方向霍尔场作用下形成的电流 －y方向 (1) y方向的空穴电流密度(Jp)y 假设稳定后，横向电场沿+y方向 洛仑兹力： +y方向 霍尔电场力： (2) y方向上的电子电流密度(Jn)y 稳定时，横向电流为0 (1) 本征半导体：n=p=ni 2．不同半导体RH与温度的关系 1/T RH (－) 例：ZnS (2) N 型半导体 ● 饱和区 为常数 ● 温度再升高，少子浓度升高 无论温度多高，RH 始终小于0，并且随T 升高，始终下降。 T↑, 1/T RH (－) (－) 饱和区 过渡区 本征区 (－) (3) p型半导体 ● 饱和区 为常数 ● 过渡区 T↑, p-nb2↓ (p+nb)2↑ 当 p-nb2 0，RH 0 当 nb2=p 时， RH＝0 | p-nb2 | ↑，|RH|↑ RH ↓ 当 p-nb2 0，RH 0 1/T RH (+) (+) (－) (－) ● 本征区 饱和区 过渡区 本征区 当 时，RH达到负的最大值 ND或NA升高，RH下降 (+) (+) (-) (-) (-) (-) 霍尔系数与温度和杂质浓度的关系 RH 1/T NA/ND T 3．RH与掺杂浓度的关系 五、霍尔效