高折射率芯Bragg光纤的瑞利散射特性.pdfVIP

高折射率芯Bragg光纤的瑞利散射特性* 张方迪 刘小毅 张民 叶培大 北京邮电大学光通信与光波技术教育部重点实验室 (100876) E-mail: frankmore21c@ 摘要：本文首次对F掺杂以及GeO2掺杂高折射率芯Bragg光纤(HICBF)的瑞利散射特性进行了 研究。采用一种基于混合棱边/节点元的全矢量有限元方法来计算光功率的截面分布。研究 发现：对于F以及GeO2 两种典型掺杂HICBF ，光纤结构对瑞利散射损耗影响正好相反。另外， 在GeO2掺杂HICBF 的分析中还发现，在芯径一定的情况下，调整的包层结构可以使瑞利散 射损耗降到最低。文中的结论同样适用于其它掺杂类型HICBF 。 关键词：Bragg 光纤；瑞利散射；瑞利散射系数；有限元 1 引言 Bragg 光纤包层折射率呈一维周期性分布[1]，是一种基于光子晶体[2]技术的特殊结构光 纤。根据纤芯折射率高低的不同，Bragg 光纤可以划分为低折射率芯与高折射率芯两种。最 早由 P.Yeh 和 A. Yariv 等人提出的 Bragg 光纤属于低折射率芯类型[1]，而高折射率芯 Bragg 光纤[3]则是近年来才提出的一种新型结构。 研究表明，高折射率芯 Bragg 光纤(HICBF)与光子晶体光纤[4]相似，也具有许多奇异的 特征，如高非线性特性和宽波长范围内的色散平坦特性等[3,5-6] 。而在制作方面，由于光子 晶体光纤为二维周期性分布结构，工艺过程复杂，且拉制出的光纤结构往往与设计值偏差很 大，而 HICBF 却能够比较容易克服这方面的困难[6]，因此有较早实用化的可能。 目前，国内外对光纤损耗已经做了广泛的研究，但是大多是基于传统的单模光纤的[7-9] 。 近年来，也有关于光子晶体光纤瑞利散射损耗的研究[10]，由于其在计算光功率分布上应用 了有效折射率模型[11]，结果与实际有较大的偏差。 本文以全矢量有限元方法作为主要分析工具，首次对F掺杂以及GeO 掺杂HICBF 的瑞 2 利散射损耗特性(Rayleigh Scattering Loss, RSL)进行了研究，详细研究了HICBF 的芯径以及包 层结构 (包层周期一定)对RSL 的影响。由于F掺杂与GeO2掺杂二氧化硅为两种典型掺杂材 料，在折射率上为一低一高，因此，文中的结论对其它类似掺杂类型HICBF 同样具有重要参 考价值。 2 HICBF 的结构 本文所分析的高芯 Bragg 光纤由二氧化硅材料制成，截面上看由一系列同心圆构成，截 面示意图见图 1 (a)。图中，灰色区域为高折射率材料，白色代表低折射率材料，参数R 和Λ * 本项目受国家自然科学基金 （编号和）和高校博士点科研基金 （编号：20030013004 ） 资助 张方迪 北京邮电大学 201 信箱 100876 电话：010Email：frankmore21c@ 分别为芯径和包层周期，而a 则代表包层低折射率层厚度。 a E z3 E t3 3 R