等离子体和固体表面相互作用原理1.pptVIP

“备”则“倍” 有准备、有规划的人生更精彩！ 等离子体合成类金刚石薄膜 等离子体合成纳米管（丝） 为什么需要低介电常数的薄膜？ 正在从微电子学到纳米电子学转变，由此带来： ? 芯片上器件的密度增加 ? 器件的工作频率增加 低介电常数的薄膜 2、等离子体材料表面改性技术 传统的离子注入技术： Plasma source 引出系统 离子束 工件 “视线”型离子束改性技术：效率低，仅适用于简单表面形状的工件 等离子体 离子流 鞘层 等离子体源离子注入(PSII)示意图 特别适用于复杂工件（如齿轮）的表面改性 3、等离子体刻蚀技术 等离子体刻蚀技术的应用 (1)超大规模集成电路的制备 (2)微电机系统 (MEMS) 的制备 MEMS在汽车工业中的应用 MEMS在人体医学中的应用 刻蚀的工艺流程 沉积薄膜 涂光刻胶 暴光 刻蚀 去胶 等离子体辅助加工过程工艺 Plasma Etching feed gases absorption Reaction with Surface Diffusion of products from surface Subsequent surface reactions desorption Material removal E-Field ions Cathode RF Power Exhaust 13.56 MHz Straight Sidewalls 离子 原子 四、等离子体与固体表面相互作用的基本过程 plasma 溅射 中性 粒子 二次电子 ALL Plasma Species Interact Strongly with the Wall substrate Energy Flow from Power Supply to Plasma Species Wall ?1.表面吸附 等离子体中的中性粒子（原子、分子及基团）将不受鞘层电场 的作用，直接向表面迁移。实际上并不是所有沉积到固体表面 上的中性粒子都可以被表面吸附，这与撞击粒子的种类、能量 及表面的性能有关。被吸附的粒子数与入射到表面的粒子数之 比被称为吸附率。在等离子体化学气相沉积成膜工艺中，薄膜 的生长过程也就是中性粒子的沉积过程。 2、离子注入 如果入射离子的速度方向与固体表面的夹角大于某一临界角，它将能够进入固体表面层，与固体中的原子发生一系列的弹性和非弹性碰撞，并不断地损失其能量。当入射离子的能量损失到某一定的值（ 约为20eV左右 ) 时，将停止在固体中不再运动。上述过程被称为离子注入过程。 Ion E atoms 离子注入的结果将使固体的表面成分发生改变。入射离子的能量损失可以分为两部分：一部分用于靶原子核的反冲运动，另一部分用于激发或电离靶原子核外的电子，分别对应于核阻止本领 和电子阻止本领 。对于低能离子，核阻止本领是主要的，而对于高能离子，电子阻止本领则是主要的。 * 等离子体与固体表面相互作用原理 大连理工大学物理系 2004年2月 等离子体物理专业硕士生选修课程 Content Chapter 1: Introduction Chapter 2: Plasma sheaths Chapter 3: Tow-body elastic collisions in solids Chapter 4: Nuclear stopping power Chapter 5: Electronic stopping power Chapter 6: Project-range theory for energetic ions in solids Chapter 7: Sputtering physics Chapter 8: Secondary electron emission 第一章：引言 一、等离子体特性 1、成分的复杂性 对于等离子体合成薄膜及等离子体刻蚀等工艺过程，通常采用一些化学活性的气体作为工作气体。这些气体电离后含有丰富的粒子种类，如电子、离子、原子、分子、离子团、活性基团及光子。 如合成类金刚石薄膜，采用的工作气体为CH4 和H2，这样形成的Plasma中有： 如利用CF4 进行等离子体刻蚀工艺，Plasma中有： 2、荷能性 等离子体中的电子、离子及中性粒子均是携带能量的。 在低气压等离子体中，电子的温度约为几个电子伏特，离子和中性粒子的温度约为几百度。但当在基片上施加偏压时，离子的能量更高，取决与施加的偏压。 对于电弧等离