《微机原理》第五章存储器技术分析.pptVIP

《微机原理》第五章存储器技术分析.ppt

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6116逻辑符号 2114逻辑符号 2164逻辑符号 例:8片6264(8K×8,SRAM)构成一个64K的存储器,分配在E0000H~EFFFFH的内存空间。 例:20位地址、8位数据系统中,一片2764(8K×8位)ROM芯片和一片6264(8K×8位)SRAM芯片构成16KB内存,其中,RAM的地址范围为0B2000H~0B3FFFH,ROM的地址范围为0BA000H~0BBFFFH。试用74LS138译码器设计该存储器系统。 * * 第五章 存 储 器 随机存储器(RAM)和只读存储器(ROM) 半导体存储器(内存储器、一般采用MOS管) 随机存储器(RAM):静态随机存储器(SRAM) 动态随机存储器(DRAM) ⑴ SRAM的典型芯片 5.1 典型的存储器芯片 按位扩充 SRAM的扩展 按位扩充 SRAM的扩展 字节扩充 ⑵ DRAM的典型芯片 ⑶ 只读存储器典型芯片 5.2 存储器地址译码方式 ⑴ 全译码方式(全译码法) A19-A13=1010100 ⑵ 部分译码方式(部分译码法) ⑶ 线性译码方式(线选法) E0000H~E1FFFH E2000H~E3FFFH E4000H~E5FFFH E6000H~E7FFFH E8000H~E9FFFH EA000H~EBFFFH EC000H~EDFFFH EE000H~EFFFFH 5.3 存储器地址译码电路的设计 一、专用译码电路的地址译码器 二、ROM译码器(自学) 例 63S241(512×4位)PROM芯片(9条地址线)为译码器,4片6264(8K×8),构成32K地址空间E0000H~E7FFFH的存储器系统。 63S241的070H~073H为: (070H)=1110B (071H)=1101B (072H)=1011B (073H)=0111B *

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