6.半导体中的光吸收和光探测器分析.pptVIP

半导体对光的吸收机制大致可分为： ①本征吸收； ②激子吸收； ③晶格振动吸收； ④杂质吸收； ⑤自由载流子吸收。 参与光吸收跃迁的电子可涉及四种： ①价电子； ②内壳层电子； ③自由电子； ④杂质或缺陷中的束缚电子。 倍增因子 由于雪崩倍增效应是一个复杂的随机过程，所以用这种效应对一次光生电流产生的平均增益的倍数来描述它的放大作用， 并把倍增因子g定义为APD输出光电流I0和一次光生电流IP的比值。 过剩噪声因子 一、常用的半导体光电探测器材料 半导体光电探测器材料的基本要求是希望对所探测的入射光在半导体材料内部能引起大的受激吸收速率，因此直接带隙材料是最理想的。但有些间接带隙跃迁材料对一定波长范围的入射光也能产生明显的吸收。 含有异质结的光电探测器，要考虑异质结材料的晶格常数匹配。 6.3 半导体光电探测器的材料和性能参数 Si、Ge、GaAs、InGaAsP是几种光纤通信中常用的探测器材料。 在波长λ1um的波段内，硅是目前广泛使用的探测器材料。 在λ1.0um时，Ge是可供选择的材料。 Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体光探测器适合在1.3um和1.55um波段的光纤通信系统中