专用集成电路教学第一章教案.ppt

Thank you ! 谢谢观赏 WPS Office Make Presentation much more fun @WPS官方微博 @kingsoftwps 专用集成电路设计基础 Company Logo 《专用集成电路设计基础》课程介绍 课时：32学时 基本内容学时分配： 一：概论(1个课时) 二：集成电路工艺基础及版图设计(2个课时) 三：CMOS集成电路器件基础(2个课时) 四：数字集成电路设计基础(4个课时) 五：模拟集成电路设计基础(2个课时) 《专用集成电路设计基础》课程介绍 六：硬件描述语言VHDL/Verilog HDL简介(2个课时) 七：常用EDA工具简介(2个课时) 八: 复习 要求：初步了解ASIC设计的全部过程及相关设计技术 考核方法：笔试 第一章 概论 什么是集成电路？ ASIC — Application Specific Integrated Circuit，意为专用集成电路，是面向特定用户或特定用途而专门设计的集成电路。 采用ASIC设计突出的优点 1.某些复杂电路系统只能采用ASIC进行设计 2.采用ASIC设计复杂电路系统具有极高的性价比 3.能够减少开发时间,加快新产品的面世速度(Time-to-Market) 4.提高系统的集成度,缩小印制板面积,降低系统的功耗 5.提高了产品的可靠性,使产品易于生产和调试,降低了维护成本 国外IC发展现状和趋势 1.当前国际集成电路的加工水平为0.09微米（90纳米），我国目前的水平为0.18微米，与国外相差2~3代。 2.目前国内外硅圆片加工直径多为8英寸和12英寸，16和18（450nm）英寸正在开发当中，预计18英寸硅片在2016年可望投入生产。 3.集成电路扩展新的应用领域：微机电系统（MEMS）、微光机电系统、生物芯片、超导等。 4.基础研究的主要内容是开发新原理器件，包括：共振隧穿器件（RTD）、单电子晶体管（SET）等。 IC发展重点和关键技术 1.亚100纳米可重构SoC创新开发平台与设计工具研究 2.SoC设计平台与SIP（硅知识产权）重用技术 3.新兴及热门集成电路产品开发，包括64位通用CPU以及相关产品群、网络通信产品开发等 4.10纳米1012赫兹CMOS研究 5.12英寸90/65纳米微型生产线 6.高密度集成电路封装的工业化技术 7.SoC关键测试技术研究 8.直径450nm硅单晶及抛光片制备技术 1.1集成电路的发展历程 集成电路的出现： 1947-1948年：公布了世界上第一支（点接触）晶体三极管—标志电子管时代向晶体管时代过渡。因此1956年美国贝尔实验室三人获诺贝尔奖。 1947年圣诞节前两天的一个中午，贝尔实验室的沃尔特?布拉登和约翰?巴丁用几条金箔片、一片半导体材料和一个弯纸架制成一个小模型，可以传导、放大和开关电流。他们把这个发明称为“点接晶体管放大器”。 William Shockley “晶体管之父”1929年—1989年1936年获MIT固体物理学博士学位被誉为“硅谷第一公民”，是其非凡的商业眼光成就了硅谷，也是其拙劣的企业才能造就了硅谷。在帕罗阿尔托市成立了晶体管实验室，该实验室成为大批后来在硅谷开设公司的工程师的培训班。1948年1月23日，威廉?肖克利提出了结型晶体管的想法。 集成电路的出现 1950年：成功制出结型晶体管 1952年：英国皇家雷达研究所第一次提出“集成电路”的设想 1958年：美国德克萨斯仪器公司制造出世界上第一块集成电路（双极型-1959年公布） 实际上集成电路的发明人有两个：一个是仙童公司(Fairchild)的罗伯特?诺伊斯，一个是TI公司的杰克?基尔比。集成电路专利权之争使这两个公司的争吵贯穿了整个20世纪60年代，直到法院裁定两个人为共同发明人为止。 1960年：制造成功MOS集成电路 集成电路发展的特点： 特征尺寸越来越小（0.10um） 硅圆片尺寸越来越大（8inch~12inch） 芯片集成度越来越大（2000K） 时钟速度越来越快（ 500MHz） 电源电压/单位功耗越来越低（1.0V） 布线层数/I/0引脚越来越多（9层/1200） Gordon Moore生于1929年1954年美国加州理工学院获物理化学博士学位。和罗伯特?诺伊斯（RobertNoyce）、安迪?格鲁夫（Andy Grove）共同创办了Intel公司,并成为公司的“心脏”，领导公司成为CPU市场的霸主。最大的成就就是发现了IT业的第一定律——摩尔定律。Intel=Intelligence 集成电路单片集成度和最小特征尺寸的发展曲线 Intel 公司CPU芯片集成度的发展 I